[发明专利]正型QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711351176.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935661A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曹蔚然;杨一行;向超宇;钱磊;梁柱荣 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/26 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阳极和置换配体溶液；在所述阳极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备电子功能层；在所述电子功能层上制备阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 制备 置换 配体 薄膜 预制 阳极 电子功能 配体溶液 正型 阴极 发光层表面 配体交换 配体置换 发光层 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种正型QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供阳极和置换配体溶液；在所述阳极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液的置换配体中进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层；在所述量子点发光层表面制备电子功能层；在所述电子功能层上制备阴极。
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