[发明专利]一种分形式锰铜薄膜超高压力传感器有效
| 申请号： | 201711344589.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108088591B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;张国栋;赵云;韦学勇;王馨晨;赵友;张琪;任炜;李慧 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/04 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种分形式锰铜薄膜超高压力传感器，包括基底，基底上面通过MEMS技术溅射有敏感元件和电极，敏感元件的输入端和输出端分别连接两个电极，敏感元件和电极的表面上粘贴一层有机绝缘薄膜；敏感元件具有自相似的分形结构，采用锰铜靶材溅射而成，基底采用有机玻璃材料，有机绝缘薄膜选用聚四氟乙烯或聚酰亚胺；本发明具有高精度、响应快、输出信号大以及适用于微小尺度爆轰压力测量等特点，测试精度可达3％左右，适用于1～50Gpa量程范围内微尺度爆轰或冲击产生的超高压力的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形式 薄膜 超高 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种分形式锰铜薄膜超高压力传感器，包括基底(2)，其特征在于：基底(2)上面通过MEMS技术溅射有敏感元件(4)和电极(1)，敏感元件(4)的输入端和输出端分别连接两个电极(1)，敏感元件(4)和电极(1)的表面上粘贴一层有机绝缘薄膜(3)；所述的敏感元件(4)具有自相似的分形结构，采用锰铜靶材溅射而成，敏感元件(4)所占面积在直径0.2mm圆形范围内，厚度为1μm。
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