[发明专利]硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料

摘要

本发明公开了硫化铼的制备以及硫化镉/硫化铼复合材料。采用常压化学气相沉积法，以硫粉为硫源，以三氧化铼为铼源，在惰性气体保护下以及水辅助前提下，在云母片基底上生长二维单层二硫化铼；进一步，通过二次生长的方法，在长有二维单层二硫化铼的云母片基底上再次沉积硫化镉颗粒，得到在硫化铼表面生长有硫化镉颗粒的CdS/ReS₂复合材料。本发明工艺简单、成本低、快速、高效可控，制备得到高质量单层硫化铼，硫化镉沉积在二维材料硫化铼上得到的CdS/ReS₂复合材料更具有优异的光电性能，应用在光电器件上具有很高的响应率。

主权项

1.一种制备硫化铼的方法，其特征在于，包括以下步骤：将三氧化铼均匀分布在第一耐高温载体上，再将基底片倒扣在所述第一耐高温载体，并将所述第一耐高温载体放置在管式炉的加热区中心；将硫粉放入第二耐高温载体上，置于所述管式炉的入口端；向所述管式炉中通入300～500sccm第一惰性气体，持续30～60min；然后调整第一惰性气体流量为80～100sccm，持续通入；使所述管式炉逐渐升温，直至所述管式炉的加热区中心的温度达到700～800℃，在所述升温的过程中，同时还以第二惰性气体作为载气通过鼓泡法通入水，所述第二惰性气体的流量为10～100sccm，通入时间为5～20min；当所述管式炉的加热区中心的温度达到700～800℃时，调整装有硫粉的第二耐高温载体的位置使其处于所述管式炉内250～350℃温区处，保温反应5～10min；反应结束后，自然冷却，得到单层硫化铼。