[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 201711286934.6 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108231565A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘智崑;李国强;陈丁波;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法，在保护气体作用下，采用连续激光对氮化镓高电子迁移率晶体管的金属电极扫描，进行退火，形成欧姆接触；所述金属电极为含铝金属电极；单位面积金属电极的总退火时间小于1s。与常用的氮化镓器件欧姆接触制备方法相比，本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，金属电极的平整度高，而且GaN薄膜材料的方阻不受影响。本发明是一种理想的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能、高可靠性的氮化镓高电子迁移率晶体管有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触 氮化镓高电子迁移率晶体管 制备 退火 氮化镓器件 金属电极 电极 保护气体 高可靠性 含铝金属 接触电阻 连续激光 面积金属 金属电 平整度 方阻 扫描 | ||
【主权项】：
1.氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法，其特征在于，在保护气体作用下，采用连续激光对预处理后的氮化镓高电子迁移率晶体管的金属电极扫描，进行激光退火，形成欧姆接触；所述金属电极为含铝金属电极；单位面积金属电极的总退火时间小于1s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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