[发明专利]一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法有效

专利信息
申请号: 201711285685.9 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN108070883B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 邹强;王泽亮 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25D1/00 分类号: C25D1/00;C25D3/12;B82Y40/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法,包括以下步骤:对AAO模板和Cu基板进行清洗;将适量熔点低于80℃的低熔点合金粉末置于Cu基板上,然后在高温箱中进行加热,当温度到达时,保持一段时间以保证低熔点金属全部融化,然后关闭并直接打开高温箱,把AAO模板置于熔化的低熔点金属之上重新开启高温箱,温度再次设定为之前的数值,保持一定时间;然后关闭高温箱,待样品冷却后取出,获得AAO模板与Cu基板相粘连的样品;将电解液加入电解槽中;待纳米线长满整个表面时,停止电化学沉积过程,取出样品,在水浴中加热,使基底的低熔点金属熔化并且与底部Cu基板一起脱落,实现模板与基板的完全分离。
搜索关键词: 基板 高温箱 低熔点金属 阳极氧化铝模板 熔化 纯净纳米 加热 取出 电化学沉积过程 熔点 低熔点合金 完全分离 样品冷却 整个表面 电解槽 电解液 纳米线 粘连 基底 水浴 清洗 融化 保证
【主权项】:
1.一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对AAO模板和Cu基板进行清洗,去除表面杂物,然后置于高温干燥箱中进行干燥;(2)将适量熔点低于80℃的低熔点合金粉末置于步骤(1)获得的Cu基板上,然后在高温箱中进行加热,当温度到达时,保持一段时间以保证低熔点合金粉末全部融化,然后关闭并直接打开高温箱,用镊子把AAO模板置于熔化的低熔点合金之上,尽量保证熔化的低熔点合金与AAO模板均匀接触,然后在AAO模板上压盖另一个铜板,然后重新开启高温箱,温度再次设定为之前的数值,保持一定时间;然后关闭高温箱,待压盖了铜板的样品冷却后取出,获得AAO模板与Cu基板相粘连的样品;(3)将电解液加入电解槽中;采用惰性金属电极——Pt电极作为正负极,固定好正负极,使二者处于正对位置,将步骤(2)获得的样品与负极相连,然后将电解槽置于超声波清洗仪中进行振荡,使AAO模板孔洞中的空气排出,并且让溶液充分浸湿AAO模板,超声处理后将电解槽转移到恒温水浴磁力搅拌器中,进行电化学沉积过程;(4)待纳米线长满整个表面时,停止电化学沉积过程,取出样品,在水浴中加热,使基底的低熔点合金熔化并且与底部Cu基板一起脱落,实现模板与基板的完全分离;(5)将步骤(4)获得的样品置于氢氧化钠溶液中,在超声波清洗仪中,溶解AAO模板,再用去离子水清洗三次,确保AAO模板被洗除,即获得纳米材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711285685.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top