[发明专利]一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法有效
申请号: | 201711285685.9 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108070883B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 邹强;王泽亮 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C25D1/00 | 分类号: | C25D1/00;C25D3/12;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法,包括以下步骤:对AAO模板和Cu基板进行清洗;将适量熔点低于80℃的低熔点合金粉末置于Cu基板上,然后在高温箱中进行加热,当温度到达时,保持一段时间以保证低熔点金属全部融化,然后关闭并直接打开高温箱,把AAO模板置于熔化的低熔点金属之上重新开启高温箱,温度再次设定为之前的数值,保持一定时间;然后关闭高温箱,待样品冷却后取出,获得AAO模板与Cu基板相粘连的样品;将电解液加入电解槽中;待纳米线长满整个表面时,停止电化学沉积过程,取出样品,在水浴中加热,使基底的低熔点金属熔化并且与底部Cu基板一起脱落,实现模板与基板的完全分离。 | ||
搜索关键词: | 基板 高温箱 低熔点金属 阳极氧化铝模板 熔化 纯净纳米 加热 取出 电化学沉积过程 熔点 低熔点合金 完全分离 样品冷却 整个表面 电解槽 电解液 纳米线 粘连 基底 水浴 清洗 融化 保证 | ||
【主权项】:
1.一种基于阳极氧化铝模板法制备纯净纳米钴阵列的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对AAO模板和Cu基板进行清洗,去除表面杂物,然后置于高温干燥箱中进行干燥;(2)将适量熔点低于80℃的低熔点合金粉末置于步骤(1)获得的Cu基板上,然后在高温箱中进行加热,当温度到达时,保持一段时间以保证低熔点合金粉末全部融化,然后关闭并直接打开高温箱,用镊子把AAO模板置于熔化的低熔点合金之上,尽量保证熔化的低熔点合金与AAO模板均匀接触,然后在AAO模板上压盖另一个铜板,然后重新开启高温箱,温度再次设定为之前的数值,保持一定时间;然后关闭高温箱,待压盖了铜板的样品冷却后取出,获得AAO模板与Cu基板相粘连的样品;(3)将电解液加入电解槽中;采用惰性金属电极——Pt电极作为正负极,固定好正负极,使二者处于正对位置,将步骤(2)获得的样品与负极相连,然后将电解槽置于超声波清洗仪中进行振荡,使AAO模板孔洞中的空气排出,并且让溶液充分浸湿AAO模板,超声处理后将电解槽转移到恒温水浴磁力搅拌器中,进行电化学沉积过程;(4)待纳米线长满整个表面时,停止电化学沉积过程,取出样品,在水浴中加热,使基底的低熔点合金熔化并且与底部Cu基板一起脱落,实现模板与基板的完全分离;(5)将步骤(4)获得的样品置于氢氧化钠溶液中,在超声波清洗仪中,溶解AAO模板,再用去离子水清洗三次,确保AAO模板被洗除,即获得纳米材料。
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