[发明专利]一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法有效

专利信息
申请号: 201811137234.5 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN110970309B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 卢双豪;梁赟;朱唐 申请(专利权)人: 北京梦之墨科技有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种低熔点金属器件的制作方法及太阳能电池的制作方法,涉及低熔点金属技术领域。本发明提供的低熔点金属器件的制作方法包括:提供一基材和一封装薄膜;使用低熔点金属,在基材上形成低熔点金属图案,低熔点金属的熔点低于封装过程中的温度;通过金属粘附结构从低熔点金属图案上粘附低熔点金属;将封装薄膜覆盖于基材上形成有低熔点金属图案的一面上,向封装薄膜和/或基材上施加压力,完成对低熔点金属图案的封装,得到低熔点金属器件。本发明的技术方案能够解决在使用封装薄膜对低熔点金属图案进行封装时,低熔点金属溢出造成低熔点金属图案的变形或者破坏的问题。
搜索关键词: 一种 熔点 金属 器件 制作方法 太阳能电池
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京梦之墨科技有限公司,未经北京梦之墨科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811137234.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种芯片模块及其制作方法-202210404956.2
  • 冯雪;白向兴;陈颖;罗锐;汪照贤;刘东亮 - 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L21/48
  • 本申请涉及一种芯片模块及其制作方法,制作方法包括:提供一芯片,芯片的背面具有粘接剂;将芯片放置在一基座的凹腔中,并使芯片的背面朝向凹腔的底部,其中,凹腔的表面为曲面;在凹腔的开口侧设置柔性薄膜以密封凹腔;对密封后的凹腔进行流体加压,使柔性薄膜和芯片变形至与凹腔的表面共形;加热固化粘接剂,使变形后的芯片与凹腔的表面粘接而定形,得到芯片模块。本申请采用柔性薄膜和流体加压的方式,构建了非刚性约束的流体压力场来控制芯片变形,最后固化粘接剂使芯片定形,实现了对芯片的曲面加工,操作简单、易控、良率高。
  • 具有双面导电凸块的封装基板及其制作方法-202210378965.9
  • 张文猛;邱培修;李治綋 - 礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司
  • 2022-04-12 - 2023-10-27 - H01L21/48
  • 本申请提供一种具有双面导电凸块的封装基板及其制作方法,该制作方法包括以下步骤:提供基板,包括基材层,基材层的相对两表面均叠设有至少一线路层和至少一保护层,每一保护层中均设有第一通孔,每一线路层均暴露于第一通孔;于保护层上设置光阻层;对光阻层进行曝光并显影,得到图形化光阻层,所述图形化光阻层中形成有第二通孔,第一通孔与第二通孔相连通;于第一通孔和第二通孔中填充焊膏;于图形化光阻层上形成覆盖膜,所述覆盖膜接触所述焊膏;加热熔融焊膏,冷却以形成导电凸块,所述导电凸块与线路层电性连接;移除覆盖膜和图形化光阻层,获得所述具有双面导电凸块的封装基板。该制作方法能够提高封装基板的良率。
  • 芯片的封装方法以及芯片封装体-202210349437.0
  • 朱凯;黄立湘;缪桦;邵广俊 - 深南电路股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H01L21/48
  • 本发明公开了芯片的封装方法以及芯片封装体,其中,芯片的封装方法包括:获取到基板,其中,基板包括依次层叠且贴合设置的第一金属层、介质层以及第二金属层;对第一金属层的预设位置进行蚀刻,直至裸露介质层的一侧;在基板上制备出多个安装槽,将芯片分别安装至各安装槽内;从基板形成有第一金属层的一侧对基板进行塑封;对第二金属层的预设位置进行蚀刻,直至裸露介质层的另一侧;从基板形成有第二金属层的一侧对基板再次进行塑封;基于介质层的裸露位置对基板进行切割,以得到多个芯片封装体。通过上述方法,能够使得各芯片封装体的切割边缘不露金属,提高芯片封装体的稳定性和可靠性。
  • 一种半导体成型工艺、引线框架及半导体产品-202210323484.8
  • 曹周;周刚 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2022-03-29 - 2023-10-24 - H01L21/48
  • 本申请公开一种半导体成型工艺、引线框架及半导体产品,半导体成型工艺包括提供引线框架,其中所述引线框架包括切断成型后保留于产品上的框架主体以及在切断成型过程中需要被切除的辅助框架,所述框架主体与所述辅助框架之间具有连接结构,所述连接结构上具有强度减弱部分,所述强度减弱部分被设置为在后续封装过程中位于封装材料的外部,以使所述连接结构在后续切断成型过程中易于在进行强度减弱部分被切断。本方案中通过提供具有强度减弱部分的连接结构,使得其在后续进行的切断成型制程中更容易被切断,避免连接结构被切断过程中由于强度大而导致其带动与框架主体连接的一侧发生较大的变形,进而造成封装材料与框架本体发生分离的问题。
  • 一种引线框架生产的激光曝光设备-202310899806.8
  • 高小平;孙煜;雷诚 - 安徽立德半导体材料有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-24 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种引线框架生产的激光曝光设备,涉及曝光设备技术领域,包括曝光机构,曝光机构的进入端外部设有放卷辊、且输出端外部设有收卷辊;放卷辊与曝光机构之间设有导向辊一与导向辊二,收卷辊与曝光机构之间设有导向辊三与导向辊四,导向辊一与导向辊二之间、以及导向辊三与导向辊四之间均设有自动调节机构;自动调节机构包括压辊机构和重力机构,压辊机构包括支板一和支板二,支板一与支板二之间滑动设置有压辊;重力机构与压辊两端的中心轴相连;本发明通过压辊机构和重力机构对引线框架的张力进行自动调节,使引线框架的张力始终保持稳定,保证引线框架在经过曝光机构中时更加平稳,受到曝光的程度更加均匀,提高曝光效果。
  • 芯片封装方法及医疗芯片-202310973811.9
  • 李睿;陈凯亮;沈彦旭;庄晓林 - 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司
  • 2023-08-03 - 2023-10-20 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种芯片封装方法及医疗芯片,该芯片封装方法包括:在晶圆上选取多个相连的芯片及相连芯片之间的切割道所在区域作为封装区域;形成覆盖封装区域的介质层;形成覆盖介质层的RDL层;通过凸点工艺在RDL层上形成多个均匀分布的用于采集信息的相位点;对晶圆进行磨薄、划片和装片工序。本发明提供的芯片封装方法,通过选取晶圆上多个相连的芯片及其间的切割道所在区域作为封装区域,形成覆盖封装区域的介质层,进一步在介质层上形成了覆盖的RDL层,并通过凸点工艺在RDL层上形成多个均匀分布的用于采集信息的相位点,使得原本作为芯片间切割用的无信息区域(即产生“黑影”的区域)也被赋予了信息采集的功能,从而有效解决了“黑影”问题。
  • 一种嵌埋器件封装基板及其制作方法-202210945044.6
  • 陈先明;林文健;黄本霞;黄高 - 珠海越亚半导体股份有限公司
  • 2022-08-08 - 2023-10-20 - H01L21/48
  • 本申请公开了一种嵌埋器件封装基板以及制作方法,其中方法包括:在临时载板上表面制作第三线路层以及靶标,在第三线路层上以及靶标上压合第三介质层;在第三介质层上放置待嵌埋器件并在待嵌埋器件上覆盖第二介质层;在第二介质层上表面压合第二铜箔,通过第二铜箔制作第二线路层、第二铜柱以及第三铜柱;在第二线路层、第二铜柱以及第三铜柱上压合覆盖第一介质层,在第一介质层上表面压合第一铜箔并去除临时载板;在第三线路层的下表面压合第四介质层;在第四介质层的下表面压合第四铜箔;通过第四铜箔制作第四线路层以及第四铜柱,以及通过第一铜箔制作第一线路层以及第一铜柱。本方法可以减少基板翘曲。本申请可应用于半导体制造技术领域内。
  • 半导体器件的制造方法和引线框架-201811090559.2
  • 桥诘昭二;西村慎一 - 瑞萨电子株式会社
  • 2018-09-19 - 2023-10-20 - H01L21/48
  • 本公开涉及半导体器件的制造方法和引线框架。本发明的方法改进了树脂模制型半导体器件的质量和可靠性。该方法包括以下步骤:放置引线框架,使得模具的腔体分别与引线框架的器件形成区域匹配,以及形成通过使包封树脂流入腔体来包封半导体芯片的包封体。上半模和下半模夹在一起的模具具有允许腔体与流道连通的多个第一浇口,以及允许虚设腔体与流道连通的虚设腔体浇口。在树脂模制过程期间,从树脂开始流入模具的时间到形成包封体的时间,每个腔体浇口的注孔的尺寸大于虚设腔体浇口的注孔。
  • 一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置-202310961493.4
  • 王玮;陈浪;杜建宇;张驰 - 北京大学
  • 2023-08-02 - 2023-10-20 - H01L21/48
  • 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置,涉及半导体技术领域,该方法包括:将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面;对DAF膜进行刻蚀,制备得到多个盲孔,盲孔的深度为DAF膜的厚度;在DAF膜的表面沉积种子层,使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁;在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料,直至第一金属材料完全填充所述盲孔;去除DAF膜表面多余的金属材料,得到晶圆的DAF膜封装结构;利用DAF膜封装结构,将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔,在盲孔中填充第一金属材料,实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱,利用金属柱的导热性,提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
  • 一种面板级封装可焊性镀层的制作方法-202310733335.3
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-10-17 - H01L21/48
  • 本发明申请公开了一种面板级封装可焊性镀层的制作方法,包括以下步骤:涂胶步骤:在封装面板暴露焊盘的一面涂覆粘接胶;蚀刻步骤:在涂粘接胶的一面蚀刻出缺口,以完全暴露出焊盘;焊接步骤:在缺口处涂上焊料,缺口处焊料与焊盘焊接为一体,形成焊柱;研磨步骤:将焊柱和粘接胶研磨,研磨面为一平面;去胶步骤,本申请通过粘接胶涂覆、蚀刻、填焊料、焊接和去胶,形成凸出的焊层,所用的设备都是产线现有的设备,不需要额外采购其他特别的设备,不需要采用昂贵的化学药水,相对于电镀锡和化锡工艺,成本降低,工艺简单,可以根据实际生产的需要制作焊层的厚度,没有焊层的损失风险,产品设计的自由度好。
  • 具有金属硅化物层的半导体器件-202310350715.9
  • G·朗格;M·罗斯纳;E·威尔彻;R·克恩;V·波纳留;A·柯尼格 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-10-17 - H01L21/48
  • 公开了具有金属硅化物层的半导体器件。提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中,提供了一种制造半导体器件的方法。在碳化硅(SiC)层上形成第一层。第一层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。第一层包括金属。可以将第一热能引导到第一层的第一表面以由第一层的金属和SiC层的硅形成金属硅化物层。金属硅化物层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。可以将第二热能引导到金属硅化物层的第一表面以降低金属硅化物层的第一表面的表面粗糙度。
  • 一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法-202310662101.4
  • 童辉;吴承侃;阳强俊;戴洪兴 - 上海富乐华半导体科技有限公司
  • 2023-06-06 - 2023-10-17 - H01L21/48
  • 本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法,对圆角矩形状铜箔的边缘进行刻蚀;首先,在覆铜陶瓷基板的铜箔上方覆盖干膜,干膜上开设有两圈内外设置的孔洞组;两圈孔洞组分别为位于内侧的内孔组以及位于外侧的外孔组;内孔组以及外孔组均包括以邻近的铜箔圆角的圆心为中心周向等间隔角度排布的边缘方孔;内孔组以及外孔组均包括对接边缘方孔且呈直线状排列的对接方孔;其次,在干膜上方喷射腐蚀液,进行刻蚀。本发明通过优化了台阶的形成方法,将DCB基板上铜箔圆角蚀刻成台阶圆角,圆角处可靠性可以提高5倍以上。
  • 玻璃基板线路结构成型方法及玻璃基板线路结构-202310907906.0
  • 杜毅嵩;华显刚;何健豪 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司
  • 2023-07-22 - 2023-10-13 - H01L21/48
  • 本发明公开一种玻璃基板线路结构成型方法及玻璃基板线路结构,涉及继承电路封装技术领域。玻璃基板线路结构成型方法包括以下步骤:S10、提供玻璃基板,对玻璃基板的部分区域进行激光改性;S20、对玻璃基板进行刻蚀处理,在激光改性区域形成通孔;S30、在通孔的内壁和玻璃基板的双面制作种子层;S40、在玻璃基板双面的种子层上分别压感光膜,并曝光显影,形成图形化窗口;S50、在通孔内填充铜柱以及在图形化窗口内制作与铜柱电连接的重布线层;S60、去除残留的感光膜并对外露的种子层进行闪蚀处理,制得线路结构。本发明的工艺简单,不需要做减铜处理。
  • 一种在陶瓷基板微结构上预制焊料层的方法-202310879854.0
  • 刘松坡;刘学昌;张树强 - 武汉利之达科技股份有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-10-13 - H01L21/48
  • 本发明提供一种在陶瓷基板微结构上预制焊料层的方法,该方法先分别制备焊料环和焊料片、带有表面镀金层围坝和排针的陶瓷基板,然后采用模具对准,将焊料环和焊料片置于陶瓷基板围坝和排针顶面,采用红外快速加热技术,使焊料环和焊料片熔化后铺展在围坝和排针顶面,制备出含预制焊料层的陶瓷基板。该方法采用红外加热具有升温速度快、非接触加热等优点,并且利用焊料熔化后的自对准效应,将焊料层预制在围坝或排针顶面,满足了后续气密封装焊接需求。
  • 引线框架的注塑成型方法-202310843934.0
  • 叶明盛;吴明明;吕阳;时亚南;李菊萍;孙炎;黄文斌 - 宁波中车时代传感技术有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-10-13 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种引线框架的注塑成型方法,其包括:S1,塑封成型顶出模具;将塑封料通过流道注入模具设置的模具腔体成型,通过顶针将塑封成型的引线框架顶出模具;S2,流道切除;塑封完成后将引线框架的流道进行切除;其中,所述流道的大部分设置于引线框架单元的边框,小部分位于注塑进胶孔与塑封体的连接口;S3,切筋成型;先将引线框架的中筋切除,等中筋切除后再将塑封的引线框架单元进行电镀处理,待电镀完成后进行切边筋。该注塑成型方法可以提升产品可靠性,防止芯片引脚变形,改善芯片分层现象,提高产品良品率。
  • 一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法-202310859340.9
  • 王欣;张仁军;陈子濬 - 四川英创力电子科技股份有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-13 - H01L21/48
  • 本发明公开了一种Micro‑LED MIP灯珠载板制作方法,涉及半导体器件制造技术领域,制作方法依次包括开料、减铜、钻孔、对穿镭射、AOI检查、脉冲电镀、外层线路蚀刻、镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷、Bottom面曝光开窗、TOP面机械开窗、压烤、沉金、AVI。钻孔时在set周边钻四个镭射定位孔;对穿镭射时加工出直壁镭射孔;为保证后续焊盘形状为方形,在BT板四个角形成角度45°、宽度30μm的补偿角;采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成多个小焊盘,小焊盘间距25μm±2μm,研磨后得到35μm×17.5μm的方形小焊盘。与现有技术相比,本方法可以得到间距更小,尺寸更小的焊盘。
  • 一种芯片散热装置及其制作方法-202310973723.9
  • 彭彪;侍国月;陈康;胡栓虎 - 毫厘机电(苏州)有限公司
  • 2023-08-04 - 2023-10-10 - H01L21/48
  • 本发明提供一种芯片散热装置及其制作方法,所述芯片散热装置的制作方法包括:步骤S1,获取金属薄板,所述金属板的厚度为能够满足对其进行冲压需求的厚度;步骤S2,对所述金属薄板进行冲压,裁切出预定图形,以形成多个片状散热薄板,所述片状散热薄板包括第一类片状散热薄板和第二类片状散热薄板;步骤S3,根据所述散热板的厚度选取一定量的第一类片状散热薄板/第二类片状散热薄板分别进行对正层叠,形成第一散热板/第二散热板,选取一定量的第一散热板和第二散热板进行依次层叠;步骤S4,将顶板、散热板及底板进行依次对正层叠,以形成所述芯片散热装置。本发明的芯片散热装置的制作方法,加工时间大幅度缩短,效率高,且成本低,可调整性高。
  • 一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法-202311001464.X
  • 付融;陈钏;李君;王启东 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-08-09 - 2023-10-10 - H01L21/48
  • 本申请实施例提供了一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法,包括:在第一衬底上形成沸腾腔结构。从第二衬底的第一表面刻蚀第二衬底,形成多个凹槽。从第二衬底的第二表面刻蚀第二衬底至凹槽,形成多个孔道。在第一表面形成纳米针状结构,利用表面疏水硅烷偶联剂修饰纳米针状结构,形成超疏纳米针状表面结构。超疏纳米针状表面结构和孔道构成超疏多孔硅膜结构,结合沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构,这样液体就可以在沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构之间形成液膜,并且利用超疏多孔硅膜结构实现气泡脱离液膜并且排出。通过制造超疏多孔硅膜结构包括的孔道以及超疏纳米针状表面结构,能够极大的提高气液分离效率。
  • 一种堆叠式功率器件及封装方法-202310877559.1
  • 高学;柴展;罗杰馨 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-10 - H01L21/48
  • 本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别涉及一种堆叠式功率器件及封装方法,将焊盘呈轴对称分布的两个完全相同的芯片进行正面的面对面垂向叠合,利用铜片将焊盘引导至引脚框架上进行电性连接,本发明相比于现有技术,利用了焊盘轴对称的图形特性,采用堆叠式的封装方式,把芯片进行正面的垂向叠合,在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装,在空间上节约了尺寸,有利于芯片产品的小型化,具有显著的有益效果。
  • 用于QFP半导体器件的整形装置-201810323696.X
  • 彭兴义 - 盐城芯丰微电子有限公司
  • 2018-04-12 - 2023-10-10 - H01L21/48
  • 本发明公开了用于QFP半导体器件的整形装置,包括底座,所述底座的上端固定连接有工作台,所述工作台的上端开设有支撑槽,所述支撑槽内对称设有多个第一弹簧,每个所述第一弹簧的上端共同连接有放置板,所述工作台上对称开设有两个空腔,且空腔对称设有在支撑槽的两侧,每个所述空腔内均设有驱动机构,所述工作台的上端对称滑动连接有两个整形块,且两个整形块均设置在空腔的上端,两个所述整形块的下端均穿过空腔侧壁并与驱动机构连接,所述底座的两侧对称固定连接有两个安装板。本发明中结构稳定,操作简单,设计科学合理,生产周期短,制作成本低,抗震性能良好,整体的设备便于固定,便于对QFP器件进行保护,管脚的整形效果好。
  • 芯片倒装封装结构的制备方法及封装结构-202310838622.0
  • 华显刚;贺姝敏;杨斌 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-03 - H01L21/48
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种芯片倒装封装结构的制备方法及封装结构,其中,该制备方法包括以下步骤:提供晶圆,基于芯片分布在晶圆上表面设置结构金属层;根据芯片分布对晶圆进行划片处理以获取芯片单体;提供载板,基于临时键合层将芯片单体倒扣固定在载板上;塑封载板顶面以使塑封层顶面高于或等高于芯片单体背侧以获取塑封体;在塑封体上制作电连接结构;该制备方法跳过了现有倒装封装结构制备方法的激光打孔工序及其后覆盖金属层的过程,省去了激光打孔的偏差,提高了封装结构的加工精度,从而提高了产品的良品率。
  • 嵌入式线路结构成型方法及嵌入式线路结构-202310960124.3
  • 杨斌;何健豪;杜毅嵩;华显刚 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-03 - H01L21/48
  • 本发明公开一种嵌入式线路结构成型方法及嵌入式线路结构,涉及集成电路封装技术领域。其中,嵌入式线路结构成型方法包括以下步骤:S10、选用玻璃板作为基板,对基板的部分区域进行激光改性;S20、在基板的双面溅射一铜层,采用雕刻液对铜层的部分区域进行雕刻,形成第一图形化窗口,并使基板的激光改性区域外露于所述第一图形化窗口;S30、对基板进行刻蚀处理,在激光改性区域形成通孔以及在第一图形化窗口处的非激光改性区域形成嵌入式线路槽;S40、同步在通孔内以及基板双面的嵌入式线路槽内制备嵌入式线路结构。采用本发明的嵌入式线路结构成型方法可以使线路槽和通孔一体成型,制作线路结构时无需做减铜处理。
  • 芯片封装结构的制备方法及封装结构-202310838628.8
  • 华显刚;贺姝敏;杨斌 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-03 - H01L21/48
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种芯片封装结构的制备方法及封装结构,其中,制备方法包括以下步骤:提供晶圆,基于芯片分布在晶圆上植第一植球;根据芯片分布对晶圆进行划片处理以获取芯片单体;提供载板,将芯片单体固定在载板上;对第一植球进行塑封以形成塑封层,塑封层顶面高于或等高于第一植球顶端;对塑封层进行减薄处理,以使第一植球顶部具有平面外露端;在塑封层上制作电连接结构以获取封装体;该制备方法跳过了激光打孔及其后覆盖金属层的过程,去除了激光打孔的偏差,提高了封装结构的加工精度,从而提高了产品的良品率,并简化了整个芯片封装流程,有效提高了封装效率。
  • 转接板制作工艺、转接板、芯片凸块封装工艺和结构-202310801091.8
  • 何正鸿 - 甬矽半导体(宁波)有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-29 - H01L21/48
  • 本公开提供的一种转接板制作工艺、转接板、芯片凸块封装工艺和结构,涉及半导体封装技术领域。该转接板制作工艺包括依次在载具上形成导电柱和转接层,在转接层或导电柱上形成第一凹槽,在第一凹槽内填充导电材料,导电材料和导电柱接触,形成复合导电柱。该转接板先形成导电柱,再形成转接层,避免了采用硅穿孔的工艺带来的穿孔缺陷,转接层好导电柱的结合力更好,降低工艺难度。
  • 功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-202280013845.7
  • D·特拉塞尔;H·拜尔;M·马利基 - 日立能源瑞士股份公司
  • 2022-01-27 - 2023-09-29 - H01L21/48
  • 指定了一种功率半导体模块(1),所述功率半导体模块包括:‑至少一个半导体芯片(5),所述半导体芯片连接到冷却结构(3),‑至少两个功率端子(7),所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触,以及‑壳体(23),用于功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7),其中,‑所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过壳体(23)的突出部分(9),并且‑所述至少两个突出部分(9)中的每一个设置有第一对齐孔(10)。进一步地,指定了一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。
  • 半导体器件的制备方法-202010676399.0
  • 李红雷 - 通富微电科技(南通)有限公司
  • 2020-07-14 - 2023-09-29 - H01L21/48
  • 本申请公开了一种半导体器件的制备方法,包括:提供设置有多个导电硅通孔的中介板,其中,所述中介板包括相背设置的正面和背面,所述硅通孔自所述正面向所述背面延伸,且非贯通所述背面;使所述中介板的所述正面朝下,从所述背面去除部分所述中介板以使得所述硅通孔从所述背面露出;在从所述背面露出的所述硅通孔上形成焊球,所述焊球与所述硅通孔电连接;使所述中介板的所述背面朝下,将至少一个芯片与从所述正面露出的所述硅通孔电连接。通过上述方式,本申请能够降低制备半导体器件的良率成本。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top