[发明专利]鳍状场效晶体管装置及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种鳍状场效晶体管装置及其形成方法，鳍状场效晶体管装置的形成方法包括提供基板，其具有栅极结构于基板的第一侧上；形成凹陷，且凹陷与栅极结构相邻；以及形成具有掺杂的第一半导体层于凹陷中，第一半导体层为非顺应性，且第一半导体层衬垫凹陷并自凹陷底部延伸至凹陷顶部。此方法亦包括形成具有掺杂的第二半导体层于凹陷中及第一半导体层上，且第二半导体层中掺杂的第二浓度大于第一半导体层中掺杂的第一浓度。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包括：提供一基板，其具有一栅极结构于该基板的一第一侧上；形成一凹陷，且该凹陷与该栅极结构相邻；形成包含一掺杂的一第一半导体层于该凹陷中，该第一半导体层为非顺应性，而该第一半导体层衬垫该凹陷，且自该凹陷的底部延伸至该凹陷的顶部；以及形成包含该掺杂的一第二半导体层于该凹陷中及该第一半导体层上，且该第二半导体层中该掺杂的一第二浓度大于该第一半导体层中该掺杂的一第一浓度。