[发明专利]一种SiC泡沫及其制备方法在审
| 申请号： | 201711283318.5 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108101542A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;毛帮笑;黄海泉 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B38/06;C04B35/80 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC泡沫及其制备方法。将去灰分的活性炭与SiC微粉、PCS粉末、催化剂混合研磨，溶解于溶剂中，制备浆料；将浆料烘干后研磨均匀放置于模具中，制备SiC泡沫胚体；将胚体放入真空管式炉中在惰性气体保护下升温至1400‑1500 ℃，保温4‑5 h，随炉冷却至500 ℃‑600 ℃；通入氧气，氧化去除活性炭，冷却至室温得到SiC纳米线和SiC微粉组成的SiC泡沫。本发明通过在纳米级SiC微粉之间原位生长SiC纳米线，SiC纳米线将SiC微粉缠绕，串联一起，形成了SiC泡沫，提高了SiC泡沫的强度和孔隙率，推动了SiC纳米线及SiC泡沫的广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 微粉 制备 活性炭 研磨 胚体 惰性气体保护 催化剂混合 真空管式炉 均匀放置 随炉冷却 原位生长 制备浆料 孔隙率 纳米级 烘干 溶剂 放入 浆料 去除 保温 模具 氧气 缠绕 串联 冷却 溶解 应用 | ||
【主权项】：
1.一种SiC泡沫，其特征在于，所述SiC泡沫由SiC纳米线与SiC微粉组成；所述SiC纳米线通过原位生长将SiC微粉包裹，串联在一起，形成多孔的SiC泡沫；所述SiC纳米线的平均直径为30-100 nm，平均长度为1-10mm；所述SiC微粉的平均粒径为40 nm。
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