[发明专利]形成鳍式晶体管的方法在审
| 申请号： | 201711276834.5 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109216194A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周仁钧;周予强;张仁宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成鳍式晶体管的方法包括形成鳍片于基板上、以氧化层以及保护层至少覆盖上述鳍片的上部。上述保护层形成于上述氧化层之上。上述方法亦包括使用离子布植工艺至少掺杂上述鳍片的上部。上述保护层在上述离子布植工艺的过程中至少防止对于上述鳍片的上部以及上述氧化层的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 保护层 氧化层 鳍式晶体管 布植工艺 离子 基板 掺杂 覆盖 损害 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍式晶体管的方法，包括:形成一鳍片于一基板上；以一氧化层及一保护层至少覆盖该鳍片的一上部，其中该保护层形成于该氧化层之上；以及使用一离子布植工艺至少掺杂该鳍片的该上部，其中该保护层在该离子布植工艺的过程中至少防止对于该鳍片的该上部以及该氧化层的损害。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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