[发明专利]一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法在审
申请号: | 201711274237.9 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108155118A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 李虹罡 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/20;H01L21/02 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法,包括上料工位、清洗工位及下料工位,且三个工位均借助输送装置实现各个工位的连接,多晶硅片通过输送装置可从下料工位进入制绒槽,清洗工位依顺序设置有喷淋装置、擦拭装置及干燥装置,且喷淋装置、擦拭装置及干燥装置之间通过输送装置相连接;多晶硅片清洗系统还包括控制装置;输送装置、喷淋装置、擦拭装置及干燥装置均与控制装置相连接并受控制装置的控制。本发明清洗工位上设置有喷淋装置、擦拭装置及干燥装置,可以加大多晶硅表面的水分蒸发,减少对制绒槽内的化学试剂及制绒槽的污染,从而延长制绒槽内化学试剂的使用时间,另外可以缩短多晶硅电池片工艺的流程时间,从而提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 擦拭装置 多晶硅片 干燥装置 喷淋装置 输送装置 制绒槽 清洗工位 清洗系统 化学试剂 控制装置 下料工位 工位 清洗 多晶硅电池片 多晶硅表面 受控制装置 上料工位 生产效率 水分蒸发 顺序设置 污染 | ||
【主权项】:
一种多晶硅片清洗系统,其位于箱体上、且固定设置在制绒槽的前序工位,其特征在于:所述多晶硅片清洗系统包括上料工位、清洗工位及下料工位,上料工位、清洗工位及下料工位均借助输送装置实现各个工位的连接,且多晶硅片通过所述输送装置可从所述下料工位进入所述制绒槽,所述清洗工位依顺序设置有喷淋装置、擦拭装置及干燥装置,且喷淋装置、擦拭装置及干燥装置之间通过输送装置相连接;所述多晶硅片清洗系统还包括设置与箱体下方的控制装置;所述输送装置、所述喷淋装置、所述擦拭装置及所述干燥装置均设置在箱体上方且均与所述控制装置相连接并受控制装置的控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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