[发明专利]一种导电陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711273622.1 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN107986776A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 孟凡斌;翟娇;赵丽灿;黎玉进;杨默;刘晓童 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C04B35/472 分类号: C04B35/472;C04B35/468;C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为一种导电陶瓷的制备方法。该方法包括以下步骤将渗碳炉升温,使渗碳炉温度达到830℃~910℃并保持稳定,再把陶瓷基料放入渗碳炉内的坩埚,然后向渗碳炉内滴加含有氯化镧的扩渗剂,滴加3.5‑4.5小时,在其滴加过程中保持温度不变;最后得到导电陶瓷;所述的物料配比为质量比陶瓷基料氯化镧=1‑21,陶瓷基料优选为钛酸铅、钛酸钡或氧化锌。本发明方法所用仪器设备简单,操作方便,产物的结构稳定且性能优异,有利于大规模的生产。
搜索关键词: 一种 导电 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种导电陶瓷的制备方法,其特征为该方法包括以下步骤:(1)将LaCl3加入到CH3OH中搅拌,得到扩渗剂;其中,扩渗剂中的LaCl3质量分数为1%‑5%;(2)将渗碳炉升温,使渗碳炉温度达到830℃~910℃并保持稳定,然后通入甲醇对渗碳炉进行排气20‑30分钟;(3)把陶瓷基料放入渗碳炉内的坩埚,保持炉温,向渗碳炉内滴加扩渗剂,3.5‑4.5小时滴加完毕;然后对渗碳炉冷却降温,最后得到导电陶瓷;所述的物料配比为质量比陶瓷基料:氯化镧=1‑2:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711273622.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top