[发明专利]一种薄膜晶体管用蚀刻液的制备方法

摘要

本发明公布了一种薄膜晶体管用蚀刻液的制备方法，其中，所述蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：氢氧化铈0.5％～2.3％；邻氯苯酚0.2％～1.8％；丁戊酸1.2％～2.6％；氢氟酸1.2％～2.6％；氟化氢1.5％～2.3％；非离子表面活性剂2.5％～3.3％；消泡剂1.5％～2.6％；其余为蒸馏水。本发明通过在原有工艺的基础上新加入了添加氢氧化铈、邻氯苯酚、丁戊酸、氢氟酸、氟化氢，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值。

主权项

一种薄膜晶体管用蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：将强酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为1.5％～2.3％氟化氢中，搅拌混合，搅拌的速度为75～90转/分钟，搅拌时间为12～20分钟，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除氟化氢中的杂质离子；第二步：将重量百分比为0.5％～2.3％的氢氧化铈和五分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为5～10分钟，搅拌速度为55～65转/分钟；第三步：然后加入重量百分比为0.2％～1.8％的邻氯苯酚，充分搅拌3～5分钟；加入重量百分比为1.2％～2.6％的丁戊酸，充分搅拌4～6分钟；加入五分之一的蒸馏水，充分搅拌3～5分钟；加入重量百分比为1.2％～2.6％的氢氟酸，充分搅拌3～4分钟；加入重量百分比为1.5％～2.3％的氟化氢，充分搅拌4～6分钟；加入重量百分比为2.5％～3.3％的非离子表面活性剂，充分搅拌3～5分钟；加入重量百分比为1.5％～2.6％的消泡剂，充分搅拌1～3分钟；最后再加满蒸馏水，再搅拌10～15分钟，搅拌速度为65～80转/分钟；第五步：最后将制得的混合物经0.12～0.16μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.12～0.16μm的有害粒子，制得所需蚀刻液，其表面张力低为50～70×10^‑3N/m，结晶温度为‑25～0℃。