[发明专利]发光元件在审
申请号: | 201711260632.1 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN108241252A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 施秉彝;陈裕宏;黄信哲;陈建宇 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;H01L51/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本公开涉及一种掩模。该掩模经设计用于图案化一表面上的有机发光材料。该掩模包含一基板,该基板具有一第一表面与一第二表面,该第一表面与该第二表面相对。该掩模另包含多个孔洞延伸穿过该基板,具有不大于150um的一间隔,并且每一孔洞于该第一表面具有一第一出口以及于该第二表面具有一第二出口。其中该多个孔洞至少其中之一具有一最小尺寸,该最小尺寸不大于约15um。 | ||
搜索关键词: | 掩模 孔洞 第二表面 第一表面 基板 有机发光材料 发光元件 延伸穿过 图案化 出口 | ||
【主权项】:
1.一种用于图案化有机发光材料的掩模,包括:一基板,具有一第一表面与一第二表面,该第一表面与该第二表面相对;以及多个孔洞,延伸穿过该基板,具有不大于150um的一间隔,以及每一个孔洞于该第一表面具有一第一出口以及于该第二表面具有一第二出口,其中该多个孔洞至少其中之一具有不大于约15um的一最小尺寸。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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