[发明专利]分凝提纯高纯硅的方法在审
| 申请号： | 201711249365.8 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108217657A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙文彬 | 申请（专利权）人： | 孙文彬;黄秀敏;太阳光能股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 闫加贺;姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分凝提纯高纯硅的方法，其为一种高效、低成本、操作简单的除杂质方法，可省去习知需通过切除的繁杂手续，尤其适合大规模工业化生产的冶金法多晶硅除硼提纯方法，可使多晶硅的纯度较习知技艺更快地可达到太阳能级多晶硅的高纯度要求。本发明是在加热炉的坩锅中进行偏析凝固提纯，其对该加热炉坩埚中的顶部加热或维持温度来控制位于顶部的液体硅的凝固速度慢于下方的液体硅凝固速度，当顶部上所余的液体硅为整体的5％至20％时，将此些液体金属硅倒出。经由反复此步骤到凝固后的固定硅的纯度达到目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 提纯 凝固 液体硅 加热炉 高纯硅 分凝 大规模工业化生产 太阳能级多晶硅 冶金法多晶硅 液体金属 除杂质 低成本 多晶硅 高纯度 除硼 倒出 偏析 坩锅 坩埚 加热 切除 | ||
【主权项】：
1.一种分凝提纯高纯硅的方法，是在加热炉的坩锅中进行偏析凝固提纯，其包括下列步骤：步骤一：于该坩锅置入固态硅，并进行加热熔融形成液态硅；步骤二：接着使该加热炉的该坩锅的温度维持低于该固态硅的熔点，使得该液态硅逐渐凝结成固态硅，同时，对该加热炉坩埚中的顶部加热或维持高于硅凝固的温度来控制位于顶部的液体硅的凝固速度慢于下方的液体硅凝固速度，当顶部上所余的液体硅为整体的5重量％至20重量％时，将此些液体金属硅倒出；步骤三：接着再启动该加热炉，将已凝固的固态硅再次加热熔融，接着重复进行步骤二，直到凝固后的固定硅的纯度达到目标值。
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