[发明专利]超薄二氧化硅薄膜样片的定值方法有效
| 申请号： | 201711243418.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108180879B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 韩志国;梁法国;李锁印;赵琳;冯亚南;许晓青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超薄二氧化硅薄膜样片的定值方法及制备方法。该定值方法包括：将衬底在清洗液中清洗；在清洗后的所述衬底的上表面生长厚度小于10纳米的二氧化硅薄膜；选取定值区域，在所述定值区域选取n个测量点；确定所述样片的厚度均匀性；确定所述样片的厚度稳定性；确定厚度测量装置引入的不确定度分量；根据所述不确定度分量、所述厚度均匀性和所述厚度稳定性确定所述样片的合成不确定度和扩展不确定度。本发明提供的样片可用于校准椭偏仪测量范围在10nm以下的测量能力。通过评价样片的厚度均匀性、厚度稳定性和不确定度，能够得知样片校准结果的可信度。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 二氧化硅 薄膜 样片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄二氧化硅薄膜样片的定值方法，其特征在于，包括：将衬底在清洗液中清洗，去除所述衬底表面的杂质；通过快速热氧化工艺在清洗后的所述衬底的上表面生长二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜的厚度小于10纳米；在所述二氧化硅薄膜上选取定值区域，并在所述定值区域选取n个测量点；使用厚度测量装置测量n个所述测量点的第一厚度，根据所述第一厚度确定所述样片的厚度均匀性；使用所述厚度测量装置按照预设时间间隔测量m次n个所述测量点的第二厚度，得到m个厚度平均值，根据所述m个厚度平均值确定所述样片的厚度稳定性；确定所述厚度测量装置引入的不确定度分量；根据所述不确定度分量、所述厚度均匀性和所述厚度稳定性确定所述样片的合成不确定度和扩展不确定度；其中，n和m为大于1的正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711243418.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
