[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法有效
申请号: | 201711240437.2 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108257987B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/42 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张强 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种焦平面阵列探测器及其制备方法,包括外延层,外延层的下表面设置有多个凹陷的第一掺杂区,外延层与第一掺杂区的交界面为第一PN结,相邻的第一PN结之间开设有像元孔;外延层的下表面覆盖有第一钝化膜,位于第一掺杂区表面的第一钝化膜开设有第一接触孔,位于像元孔表面的第一钝化膜的正中间开设有第二接触孔;第一接触孔与第二接触孔内分别填充有第一铟凸点与第二铟凸点,第一铟凸点与第二铟凸点突出外延层;外延层的上表面设置有多个凹陷的第二掺杂区,第二掺杂区与第二铟凸点一一对应连接。本发明目的在于解决相邻像元的PN结容易串音、像元的有效利用面积小的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 平面 阵列 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种焦平面阵列探测器,包括外延层(2),所述外延层(2)的下表面设置有多个凹陷的第一掺杂区(31),所述外延层(2)与所述第一掺杂区(31)的交界面为第一PN结,其特征在于,相邻的所述第一PN结之间开设有像元孔(4);所述外延层(2)的下表面覆盖有第一钝化膜(61),位于所述第一掺杂区(31)表面的第一钝化膜(61)开设有第一接触孔(10),位于所述像元孔(4)表面的第一钝化膜(61)的正中间开设有第二接触孔(11);所述第一接触孔(10)与所述第二接触孔(11)内分别填充有第一铟凸点(71)与第二铟凸点(72),所述第一铟凸点(71)与所述第二铟凸点(72)突出所述外延层(2);所述外延层(2)的上表面设置有多个凹陷的第二掺杂区(32),所述第二掺杂区(32)与所述第二铟凸点(72)一一对应连接,所述外延层(2)与所述第二掺杂区(32)的交界面为第二PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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