[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711240437.2 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108257987B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01J1/42
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张强
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种焦平面阵列探测器及其制备方法,包括外延层,外延层的下表面设置有多个凹陷的第一掺杂区,外延层与第一掺杂区的交界面为第一PN结,相邻的第一PN结之间开设有像元孔;外延层的下表面覆盖有第一钝化膜,位于第一掺杂区表面的第一钝化膜开设有第一接触孔,位于像元孔表面的第一钝化膜的正中间开设有第二接触孔;第一接触孔与第二接触孔内分别填充有第一铟凸点与第二铟凸点,第一铟凸点与第二铟凸点突出外延层;外延层的上表面设置有多个凹陷的第二掺杂区,第二掺杂区与第二铟凸点一一对应连接。本发明目的在于解决相邻像元的PN结容易串音、像元的有效利用面积小的技术问题。
搜索关键词: 平面 阵列 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种焦平面阵列探测器,包括外延层(2),所述外延层(2)的下表面设置有多个凹陷的第一掺杂区(31),所述外延层(2)与所述第一掺杂区(31)的交界面为第一PN结,其特征在于,相邻的所述第一PN结之间开设有像元孔(4);所述外延层(2)的下表面覆盖有第一钝化膜(61),位于所述第一掺杂区(31)表面的第一钝化膜(61)开设有第一接触孔(10),位于所述像元孔(4)表面的第一钝化膜(61)的正中间开设有第二接触孔(11);所述第一接触孔(10)与所述第二接触孔(11)内分别填充有第一铟凸点(71)与第二铟凸点(72),所述第一铟凸点(71)与所述第二铟凸点(72)突出所述外延层(2);所述外延层(2)的上表面设置有多个凹陷的第二掺杂区(32),所述第二掺杂区(32)与所述第二铟凸点(72)一一对应连接,所述外延层(2)与所述第二掺杂区(32)的交界面为第二PN结。
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