[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种焦平面阵列探测器，包括外延层(2)，所述外延层(2)的下表面设置有多个凹陷的第一掺杂区(31)，所述外延层(2)与所述第一掺杂区(31)的交界面为第一PN结，其特征在于，相邻的所述第一PN结之间开设有像元孔(4)；

所述外延层(2)的下表面覆盖有第一钝化膜(61)，位于所述第一掺杂区(31)表面的第一钝化膜(61)开设有第一接触孔(10)，位于所述像元孔(4)表面的第一钝化膜(61)的正中间开设有第二接触孔(11)；

所述第一接触孔(10)与所述第二接触孔(11)内分别填充有第一铟凸点(71)与第二铟凸点(72)，所述第一铟凸点(71)与所述第二铟凸点(72)突出所述外延层(2)；

所述外延层(2)的上表面设置有多个凹陷的第二掺杂区(32)，所述第二掺杂区(32)与所述第二铟凸点(72)一一对应连接，所述外延层(2)与所述第二掺杂区(32)的交界面为第二PN结，相邻的所述第一掺杂区(31)与所述第二掺杂区(32)在所述外延层(2)的上表面的投影不重合。

2.如权利要求1所述的焦平面阵列探测器，其特征在于，所述第一铟凸点(71)与所述第二铟凸点(72)突出所述外延层(2)部分的底部位于同一平面上。

3.如权利要求1所述的焦平面阵列探测器，其特征在于，在所述外延层(2)的两侧具有垂直贯穿所述外延层(2)的对位孔(5)。

4.如权利要求1所述的焦平面阵列探测器，其特征在于，所述外延层(2)的上表面覆盖有第二钝化层(62)。

5.如权利要求1-4中任一项所述的焦平面阵列探测器，其特征在于，还包括读出电路板(8)和多个第三铟凸点(9)，每个所述第一铟凸点(71)与每个所述第二铟凸点(72)突出所述外延层(2)的部分分别连接一个所述第三铟凸点(9)的一端，所述第三铟凸点(9)的另一端与所述读出电路板(8)相连。

6.一种焦平面阵列探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在光敏衬底(1)上覆盖外延层(2)，在所述外延层(2)的下表面形成凹陷的第一掺杂区(31)，在相邻的所述第一掺杂区(31)之间开设像元孔(4)；

S2、在所述外延层(2)的两侧开设垂直贯穿所述外延层(2)的对位孔(5)；

S3、在所述外延层(2)的下表面生长第一钝化膜(61)，并在位于所述第一掺杂区(31)表面的第一钝化膜(61)上开设第一接触孔(10)，在位于所述像元孔(4)表面的第一钝化膜(61)的正中间开设第二接触孔(11)；

S4、分别在所述第一接触孔(10)与所述第二接触孔(11)内制备第一铟凸点(71)与第二铟凸点(72)；

S5、去除所述光敏衬底(1)，在所述外延层(2)的上表面形成多个凹陷的第二掺杂区(32)，并使得相邻的所述第一掺杂区(31)与所述第二掺杂区(32)在所述外延层(2)的上表面的投影不重合。

7.如权利要求6所述的焦平面阵列探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括倒装焊步骤，所述倒装焊步骤包括：将每个所述第一铟凸点(71)与每个所述第二铟凸点(72)分别与一个第三铟凸点(9)连接，所述第三铟凸点(9)连接在读出电路板(8)上。

8.如权利要求6所述的焦平面阵列探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5之后还包括在所述外延层(2)的上表面生长第二钝化膜(62)。