[发明专利]Cu2在审

专利信息
申请号: 201711233984.8 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108011029A 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 隋骁阳;詹宜泽 申请(专利权)人: 大连智讯科技有限公司
主分类号: H01L35/16 分类号: H01L35/16;H01L35/18;H01L35/34
代理公司: 盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 代理人: 徐淑东;崔雪
地址: 116000 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明提供一种Cu2Se基热电材料及其制备方法。本发明Cu2Se基热电材料,Cu2Se衬底上生长了Bi2Te3/Sb2Te3掺杂量子点超晶格。所述Cu2Se基热电材料的制备方法包括以下步骤:在Cu2Se衬底上生长了Bi2Te3/Sb2Te3掺杂量子点超晶格。该材料可以有效地降低热导率,采用薄膜超晶格的方法提升材料性能。热电材料结构纳米化在超晶格、纳米线、量子点和薄膜体系中很有效,纳米结构材料的界面是降低晶格热导率的关键因素,退火可以提高纳米晶粒的不均匀性,从而增强声子散射降低热导率。
搜索关键词: cu base sub
【主权项】:
1.一种Cu2Se基热电材料,其特征在于,Cu2Se衬底上生长了Bi2Te3/Sb2Te3掺杂量子点超晶格。
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