[发明专利]在基板上形成膜层的方法和在基板上形成膜层的设备有效
申请号: | 201711229735.1 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108011054B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 程磊磊;周斌;王东方;赵策;黄勇潮;刘宁;汪军 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L21/66 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜春咸;陈源<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 230012*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种在基板上形成膜层的方法及设备。方法包括:在检测区域设置检测板,检测板包括至少一个检测单元,每个检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极;形成膜层,包括目标膜层和检测膜层,检测膜层填充满第一检测电极和第二检测电极之间的间隔;在形成膜层的过程中,检测所述检测膜层的厚度,根据厚度以及成膜时间,计算已经形成的膜层的成膜速率,根据该成膜速率,调节当前的成膜速率。能够准确检测基板上所形成检测膜层的厚度,并根据检测膜层的厚度以及成膜速率指导目标膜层的生产工艺,有效提高生产速率,提高膜层的工艺良率。 | ||
搜索关键词: | 基板上 形成 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种在基板上形成膜层的方法,其特征在于,所述基板包括目标区域和位于所述目标区域外的检测区域,所述方法包括:/n在所述检测区域设置检测板,所述检测板包括至少一个检测单元,每个所述检测单元都包括间隔设置的第一检测电极和第二检测电极;/n形成膜层,所述膜层包括位于所述目标区域的目标膜层和位于所述检测板的检测膜层,其中,所述检测膜层填充满同一个检测单元中的所述第一检测电极和所述第二检测电极之间的间隔;/n在形成膜层的过程中,检测所述检测膜层的厚度;/n根据所述检测膜层的厚度以及成膜时间,计算已经形成的膜层的成膜速率;/n根据已经形成的膜层的成膜速率,调节当前的成膜速率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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