[发明专利]用于离子布植机的离子产生器在审
申请号: | 201711224239.7 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN109427521A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 高泰坤;林琮闵;丘仁中;李仁铎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种用于离子布植机的离子产生器。用于离子布植机的离子产生器包含一离子源电弧室及一热电子发射器,离子源电弧室包含一电弧室壳体,热电子发射器耦接至电弧室壳体。此外,热电子发射器包含一丝极以及一阴极,且阴极具有由功函数改质的导电材料所形成的一实心顶部,上述功函数改质的导电材料包含钨以及一功函数改质金属。 | ||
搜索关键词: | 电弧室 热电子发射器 离子布植机 离子产生器 功函数 阴极 导电材料 离子源 改质 壳体 改质金属 耦接 | ||
【主权项】:
1.一种用于离子布植机的离子产生器,包括:一离子源电弧室,其包括一电弧室壳体;以及一热电子发射器,其耦接至该电弧室壳体,其中该热电子发射器包括一丝极及一阴极,其中该阴极具有由一功函数改质的导电材料所形成的一实心顶部,该功函数改质的导电材料包括钨及一功函数改质金属。
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