[发明专利]基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法在审
申请号: | 201711220163.0 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108023018A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 岳世忠;刘孔;孙阳;王智杰;曲胜春;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤宝平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,该电池结构包括:阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极,该制备方法包括以下步骤:步骤1:在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiO |
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搜索关键词: | 基于 连续 调控 倒置 钙钛矿 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,该电池结构包括:阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极,该制备方法包括以下步骤:步骤1:在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiOx 的前驱体溶液,烧结,形成致密的CuNiOx 空穴传输层;步骤2:在CuNiOx 空穴传输层上旋涂一层钙钛矿的前驱体溶液,退火,形成有源层;步骤3:在有源层上旋涂有机聚合物PC61BM溶液,形成电子传输层;步骤4:在电子传输层上旋涂乙酰丙酮锆溶液,制备电子修饰层;步骤5:采用热蒸发的方式在电子修饰层上制备金属电极作为阴极,完成太阳电池的制备。
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