[发明专利]基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法在审
申请号: | 201711220163.0 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108023018A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 岳世忠;刘孔;孙阳;王智杰;曲胜春;王占国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤宝平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 连续 调控 倒置 钙钛矿 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,该电池结构包括:阳极透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿有源层、电子传输层、电子修饰层和阴极电极,该制备方法包括以下步骤:
步骤1:在阳极透明导电衬底上旋涂一层CuNiO
步骤2:在CuNiO
步骤3:在有源层上旋涂有机聚合物PC61BM溶液,形成电子传输层;
步骤4:在电子传输层上旋涂乙酰丙酮锆溶液,制备电子修饰层;
步骤5:采用热蒸发的方式在电子修饰层上制备金属电极作为阴极,完成太阳电池的制备。
2.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中步骤1中的阳极透明导电衬底的材料为FTO透明导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中步骤1中的CuNiO
4.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中步骤2中旋涂的钙钛矿的前驱体溶液为CsaFA
5.根据权利要求4所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中钙钛矿层的带隙范围为1.60-1.64eV,退火的温度为100℃,时间为10min。
6.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中步骤3中的旋涂有机聚合物PC61BM溶液的旋涂转速为1000rpm,形成的电子传输层的厚度为50-100nm。
7.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中步骤4中的电子修饰层为乙酰丙酮锆的乙醇溶液旋涂制备而成,旋涂转速为2000rpm,厚度为5-10nm。
8.根据权利要求1所述的基于带隙连续可调控的倒置钙钛矿太阳电池的制备方法,其中阴极的材料为Ag,厚度为50-300nm。
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