[发明专利]晶圆承载盘维修方法

摘要

本发明提供了一种能延长晶圆承载盘使用寿命的晶圆承载盘维修方法，包括下列步骤：检测步骤：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘进行检测作业，检查是否存在损伤；判断步骤：判断损伤是否有发生石墨底材裸露的状况；以及修补步骤：针对判断结果，在损伤处设置相应并具有纯硅的修补对象，紧接着置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让纯硅转为液相硅，渗透入损伤处反应生长出碳化硅，与原有的碳化硅镀层合为一体，让晶圆承载盘恢复到不会被氨气侵蚀的状态，能重新投入制程继续使用。

主权项

1.一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘(100)的修补，所述晶圆承载盘(100)包含有一顶面凹设有至少一口袋(110)的石墨底材(10)、及一包覆在所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，其特征在于：包括下列步骤：检测步骤(Ⅰ)：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘(100)进行检测作业，检查所述晶圆承载盘(100)是否存在损伤(1)，存在前述损伤(1)时，进行下一步骤，不存在前述损伤(1)时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；判断步骤(Ⅱ)：上述损伤(1)存在时，需取出所述晶圆承载盘(100)，以对所述损伤(1)进行判断，是否有发生所述石墨底材(10)裸露的状况；以及修补步骤(Ⅲ)：针对上述判断结果，在所述损伤(1)处，设置相应的修补对象(2)，所述修补对象(2)具有纯硅(21)，紧接着再将所述晶圆承载盘(100)置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让所述纯硅(21)转为液相硅(211)，以渗透入所述损伤(1)处，最终在所述损伤(1)处，反应生长出碳化硅(3)，与原有的所述碳化硅镀层(20)合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘(100)投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。