[发明专利]基于化学腐蚀法制备大模场光纤F-P传感器的方法在审
| 申请号： | 201711216270.6 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108020248A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 祝连庆;周康鹏;娄小平;董明利;陈少华;张雯;何巍 | 申请（专利权）人： | 北京信息科技大学 |
| 主分类号： | G01D5/353 | 分类号： | G01D5/353 |
| 代理公司： | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人： | 顾珊;庞立岩 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于化学腐蚀法制备大模场光纤F‑P传感器的方法，与现有技术相比，本发明采用的大模场‑大模场结构与相同工艺的其他结构相比，有较高的灵敏度。采用化学腐蚀法制备光纤上的F‑P微结构，从而制得光纤F‑P应变传感器，制作方法简单，易于制作。本发明制得的大模场光纤F‑P传感器器件结构简单，稳定性可靠。成本较低、重复性高，易于实现器件的批量加工。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 化学 腐蚀 法制 备大模场 光纤 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于化学腐蚀法制备大模场光纤F-P传感器的方法，包括以下步骤：S1：将大模场光纤的一端去除涂覆层，经酒精擦拭后用切割刀将该端面切平，并粘贴在支架上；S2：将上述切平的端面插入浓度为40％的氢氟酸溶液中腐蚀20min，所述被腐蚀的光纤端面形成凹槽；S3：将腐蚀过的大模场光纤端面放入蒸馏水中浸泡稀释，再将该大模场光纤放入超声清洗机中清洗，去除残留氢氟酸；S4：采用熔接机将上述腐蚀好的大模场光纤端面与另一根端面切平的大模场光纤相对熔接，形成F-P腔结构，从而得到大模场光纤F-P传感器。
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