[发明专利]一种辐射探测器的制造方法

摘要

本发明公开了一种辐射探测器的制造方法，该方法是直接将闪烁晶体生长在半导体光电器件的晶圆上，然后淀积防潮层、制作芯片管脚，最后对制造完成的辐射探测器晶圆进行切割，形成辐射探测器产品。本发明的有益效果是1、省去了复杂的闪烁晶体加工工序，避免了小尺寸晶体加工困难、精度难以控制的问题，保证了晶体的加工质量；2、可以通过控制晶体生长厚度以及辐射探测器切割尺寸的方式来控制探测器的空间分辨率及能量分辨率，因而可以有针对性地制造不同的产品来满足不同的分辨率要求；3、探测器属于晶圆级封装，具有更小的封装尺寸，因而可以满足小尺寸或大规模阵列式探测系统的应用需求。

主权项

一种辐射探测器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1,提供半导体裸晶圆；S2,采用标准半导体制造工艺对所述半导体裸晶圆进行加工制造，在所述半导体裸晶圆上制作光电器件，形成光电器件晶圆；S3,在所述光电器件晶圆含有光电器件的一侧上生长闪烁晶体；S4,在所述闪烁晶体之上淀积防潮层；S5,在含有闪烁晶体和防潮层的晶圆上制作芯片管脚，形成辐射探测器晶圆；S6,对所述辐射探测器晶圆进行切割，形成最终的辐射探测器产品。