[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201711206635.7 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107833967B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陶义方;吴孝哲;王博文 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包含：(i)在半导体基材上形成垂直互连结构及第一电极，第一电极位于为垂直互连结构上，且第一电极具有暴露的顶面；(ii)形成加热元件于第一电极上，加热元件包含接触顶面的第一部以及从第一部横向延伸出顶面外的第二部；(iii)形成相变化元件接触加热元件的第二部，相变化元件在半导体基材上的投影与第一电极在半导体基材上的投影不重叠；以及(iv)形成第二电极于相变化元件上，且第二电极在半导体基材上的投影与第一电极在半导体基材上的投影不重叠。在此揭露的相变化记忆体具有很高的布局设计的设计弹性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：在一半导体基材上形成一垂直互连结构以及一第一电极，其中该第一电极位于为该垂直互连结构上，且该第一电极具有一暴露的顶面；形成一加热元件于该第一电极上，其中该加热元件包含接触该顶面的第一部以及从该第一部横向延伸出该顶面外的第二部；形成一相变化元件接触该加热元件的该第二部，其中该相变化元件在该半导体基材上的投影与该第一电极在该半导体基材上的投影不重叠；以及形成一第二电极于该相变化元件上，且该第二电极在该半导体基材上的投影与该第一电极在该半导体基材上的投影不重叠。
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