[发明专利]一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法有效

专利信息
申请号: 201711203498.1 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN109841479B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 侯可勇;王伟民;王爽;李海洋 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/16
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法。该方法是利用安装在VUV(真空紫外灯)附近,同时加载有可控电压的金属探针来吸引去除电离源内的光电子,从而大大减弱了光电子对电离源的污染,在使用一段时间后,仪器的信号不再减弱。该方法相比于传统的在VUV灯外安装氟化镁光窗的方法的优点在于可以不降低原有的光电离的效率,同时金属探针的电压和距离紫外灯电离源的距离可以灵活的调控。通过软件仿真和实验验证,证明了探针距离电离源轴心4mm,探针加载电压为300V时,光电子可以被屏蔽探针有效去除,并且原来的质谱信号强度几乎没有受到影响。
搜索关键词: 一种 屏蔽 光电子 对光 电离 离子源 污染 新方法
【主权项】:
1.一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法,其特征在于:包括电离室腔体(1)、dopant气体毛细管接口(2)、真空紫外光源(3)、不锈钢金属探针(4)、样品气毛细管(5)接口、两个或三个以上的中部带通孔的平板状传输电极(6)和中部带通孔的平板状差分孔电极(7);传输电极(6)置于电离室腔体(1)内部;两个或三个以上的传输电极(6)之间相互平行、间隔设置、中部通孔同轴;于传输电极(6)的通孔上方处的电离室腔体(1)壁上设有紫外光入口,紫外光入口与传输电极(6)的通孔同轴;于传输电极(6)的下方处设有差分孔电极(7),差分孔电极(7)的通孔与传输电极(6)的通孔同轴,紫外光源(3)发出的紫外光从紫外光入口经传输电极(6)的通孔照射在差分孔电极(7)表面,通过光电效应产生光电子;不锈钢金属探针(4)置于传输电极的上方,其一端位于紫外光入口和传输电极中部通孔之间,另一端与高压直流电源相连;差分孔电极(7)上施加有直流电压,且通过电容接地,同时也通过电阻连地;试剂气毛细管(5)和样品气毛细管(2)分别通过电离室腔体(1)壁上的试剂气毛细管(5)接口和样品气毛细管(2)接口进入电离室内部;试剂气毛细管(5)和样品气毛细管(2)的气体出口位于传输电极与差分孔电极之间或相邻的传输电极与传输电极之间;由试剂气毛细管(5)和样品气毛细管(2)的气体出口端流出的气体面向紫外光束。
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