[发明专利]一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法

说明书

本发明公开了一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法。该方法是利用安装在VUV(真空紫外灯)附近，同时加载有可控电压的金属探针来吸引去除电离源内的光电子，从而大大减弱了光电子对电离源的污染，在使用一段时间后，仪器的信号不再减弱。该方法相比于传统的在VUV灯外安装氟化镁光窗的方法的优点在于可以不降低原有的光电离的效率，同时金属探针的电压和距离紫外灯电离源的距离可以灵活的调控。通过软件仿真和实验验证，证明了探针距离电离源轴心4mm，探针加载电压为300V时，光电子可以被屏蔽探针有效去除，并且原来的质谱信号强度几乎没有受到影响。

技术领域

本发明公开了一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法。该方法是利用安装在VUV(真空紫外灯)附近，同时加载有可控电压的金属探针来吸引去除电离源内的光电子，从而大大减弱了光电子对电离源的污染，在使用一段时间后，仪器的信号不再减弱。该方法相比于传统的在VUV灯外安装氟化镁光窗的方法的优点在于可以不降低原有的光电离的效率，同时金属探针的电压和距离紫外灯电离源的距离可以灵活的调控。通过软件仿真和实验验证，证明了探针距离电离源轴心4mm，探针加载电压为300V时，光电子可以被屏蔽探针有效去除，并且原来的质谱信号强度几乎没有受到影响。

背景技术

光电离是一种新型的常压软电离源，它通过化合物吸收一个光子的能量，通常是10.0～10.6eV，然后失去一个电子形成分子离子。为了弥补对电离能高于10.6eV化合物的离子化，侯可勇[中国发明专利：200610011793.2]和郑培超[中国发明专利：200810022557.X]将真空紫外光电离源与质谱结合。

但是真空紫外光源中特别是真空紫外光灯中使用的光窗材料限制了透过光的光子能量。目前已知的仅有LiF光窗材料透过光子能量最高可达11.8eV。所以，只有电离能低于11.8eV的有机物分子利用11.8eV光子能够得到有效电离，而电离能高于11.8eV的化合物光子则无能为力。

为了解决该问题，花磊[PCT:201010567193]采用真空紫外光源在试剂区产生光电子，在静电场下加速电离试剂气体，产生试剂离子。然后传输试剂离子进入反应区与样品分子发生化学电离。但是这个方法进一步引入的试剂离子可能会加剧污染真空紫外光源，长时间使用后，会降低光电离的效率。

发明内容

本发明公开了一种屏蔽光电子对光电离离子源污染的新方法。该方法是利用安装在VUV(真空紫外灯)附近，同时加载有可控电压的金属探针来吸引去除电离源内的光电子，从而大大减弱了光电子对电离源的污染。

本发明采用的技术方案如下：

包括电离室腔体、dopant气体毛细管接口、真空紫外光源、不锈钢金属探针、样品气毛细管接口、一个或一个以上的传输电极和差分孔电极。

传输电极置于电离室腔体内部，传输电极一共六片，轴向开有通孔；传输电极之间相互平行、间隔设置、通孔同轴；

于传输电极的通孔上方处的电离室腔体壁上设有紫外光入口，紫外光入口与通孔同轴；于传输电极的下方处设有差分孔电极，差分孔电极的孔与通孔同轴，紫外光源发出的紫外光从紫外光入口照射在差分孔电极表面，通过光电效应产生光电子。

差分孔电极上施加有直流电压，且通过电容接地，同时也通过电阻连接到地；试剂气毛细管和样品气毛细管分别通过电离室腔体壁上的试剂气毛细管接口和样品气毛细管接口进入电离室内部；试剂气毛细管和样品气毛细管的气体出口位于传输电极与差分孔电极之间或传输电极与传输电极之间；试剂气毛细管和样品气毛细管的气体出口端垂直于紫外光束。

一个以上的传输电极的各电极上依次施加有直流传输电压，直流传输电压采用一直流电源，各电极上依次施加的直流电压通过电阻进行分压。