[发明专利]用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备在审
| 申请号： | 201711202775.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108121153A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 申铉振;宋伣在;朴晟准;申建旭;李昌锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。 | ||
| 搜索关键词： | 表膜 纳米晶体 石墨烯 纳米级晶粒 曝光设备 光掩模 掩模版 光刻 膜片 芳族环结构 氮原子 碳结构 碳原子 氧原子 空位 二维 | ||
【主权项】：
用于保护光掩模的表膜，所述表膜包括：包括具有缺陷的纳米晶体石墨烯的表膜膜片。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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