[发明专利]清洗组合物、清洗装置以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201711191153.9 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108109941A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 朴美贤;吴政玟;金仁基;金舒玄;金兑洪;李晓山 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C11D1/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种清洗装置包括接收基板的卡盘、用于将清洗组合物提供到基板上的喷嘴。该清洗装置还包括将清洗组合物供应到喷嘴的化学溶液供应单元。该化学溶液供应单元混合清洗组合物以产生清洗颗粒。清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种制造半导体器件的方法包括处理基板、形成层间绝缘层、抛光层间绝缘层、以及将清洗组合物提供到层间绝缘层上以去除第一颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗组合物 表面活性剂 清洗装置 绝缘层 半导体器件 供应单元 化学溶液 有机溶剂 喷嘴 离子 层间绝缘层 处理基板 接收基板 抛光层 基板 去除 制造 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种清洗组合物，包括：表面活性剂；去离子(DI)水；以及有机溶剂，其中所述表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711191153.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基片处理装置和基片处理系统
- 下一篇：晶圆转速检测机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
