[发明专利]一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件在审
| 申请号： | 201711187474.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107994009A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;李百泉 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成温度感应器的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，通过层间介质与栅极隔离；源电极、栅电极与嵌入的用于检测SiC MOSFET器件温度的所述横向肖特基二极管区都互相隔离；其中嵌入的横向肖特基二极管作为芯片的温度传感器，通过外接电路的连接，实时检测芯片结温。本申请采用在表面嵌入横向肖特基二极管的方法，根据肖特基电流随温度的变化规律，得到实时温度监控值。SiC肖特基二极管的耐温可以达到300℃以上，因此满足高温SiC器件的应用。同时，本发明工艺兼容SiC MOSFET工艺，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 温度 感应器 sicmosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种集成温度感应器的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，通过层间介质与栅极隔离；源电极、栅电极与嵌入的用于检测SiC MOSFET器件温度的所述横向肖特基二极管区都互相隔离；其中嵌入的横向肖特基二极管作为芯片的温度传感器，通过外接电路的连接，实时检测芯片结温。
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