[发明专利]在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案有效
| 申请号： | 201711172672.0 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091652B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗;夫厚尔·杰恩;刘岂之;安东尼·K·史塔佩尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 相同 晶圆上 异质接面 双极晶体管 装置 整合 方案 | ||
【主权项】：
1.一种结构，其包含：功率放大器(PA)装置，在晶圆上包含基极、集电极与发射极；以及低噪声放大器(LNA)装置，在该晶圆上包含基极、集电极与发射极，该发射极与该基极具有相同结晶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
