[发明专利]在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案

说明书

本发明涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。

技术领域

本发明大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。

背景技术

诸如运算与无线通信装置等某些应用需要双极性互补式金属氧化物半导体(BiCMOS)集成电路。这些应用需要在相同晶圆上整合低噪声放大器(LNA)装置与功率放大器(PA)装置，例如：SiGe异质接面双极晶体管(HBT)。

然而，LNA装置与PA装置会具有不同的效能及优化要求。举例而言，LNA装置可能需要较高贝他、较高短路电流增益截止频率(fT)及较低基极电阻器(R_b)。另一方面，PA装置可能需要较低基极发射极电容(C_be)及较高崩溃电压(BV_ceo)(标称贝他)。

有可能使LNA装置与PA装置HBT共享同一基极外形。然而，在此一方法中，仅一个装置可将效能优化，而另一装置则使用额外布植或布局将给定的基极外形优化。

发明内容

在本发明的一态样中，一种结构包含：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。

在本发明的一态样中，一种结构包含：具有基极、发射极与集电极区的功率放大器(PA)装置；以及包含基极、发射极与集电极区的低噪声放大器(LNA)，该LNA的该基极包含与该PA装置的该基极不同的结晶结构。

在本发明的一态样中，一种方法包含：形成位在晶圆上的功率放大器(PA)装置；使用与该PA装置相同的材料层及蚀刻程序形成位在该相同晶圆上相邻于该PA装置处的低噪声放大器(LNA)装置；形成位在该LNA装置上方同时保护该PA装置的非晶材料；退火位在该LNA装置上方的该非晶材料；以及再结晶该LNA装置的该非晶材料，使得该LNA装置的发射极与基极将会具有相同结晶结构。

附图说明

本发明是通过本发明例示性具体实施例的非限制性实施例，参照注记的多个图式，在以下详细说明中作说明。

图1根据本发明的态样，展示整合于同一晶圆上的异质接面双极晶体管(HBT)(例如：功率放大器(PA)装置及低噪声放大器(LNA)装置)、及各别制作程序。

图2根据本发明的态样，展示具有包含非晶材料的LNA装置的相同晶圆上整合的HBT、及各别制作程序。

图3根据本发明的态样，展示LNA装置的具有已熔化非晶材料的HBT、及各别制作程序。

图4根据本发明的态样，展示具有非晶材料的替代HBT、及各别制作程序。

主要组件符号说明

100 结构

105 介电层

110、135 发射极

115、140 基极

120 STI结构

125、145 集电极

130 PA装置

150 LNA装置

155、156 非晶材料

160 半导体晶圆材料