[发明专利]一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法

摘要

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备黑硅的方法。一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤在硅片表面沉积一层Si3N4，旋涂一层光刻胶，覆盖上掩膜后，曝光，显影，后烘，把暴露出区域的Si3N4层刻蚀掉，洗去残留光刻胶；形成掩膜。依次对光刻过后的硅片进行超声清洗；碱刻蚀，酸处理，刻蚀；洗去硅片表面残余的金颗粒，即制得黑硅。本发明的方法具有实验设备较简单，变量易控等优点，利于大规模生产。

主权项

一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）首先，利用PECVD在清洁的硅片表面沉积一层Si3N4，其厚度为100 nm，之后旋涂一层光刻胶，覆盖上掩膜后通过光刻机对其进行曝光处理，然后通过显影在硅片表面得到掩膜图案，硅片经过后烘后，把硅片上通过显影后而暴露出区域的Si3N4层刻蚀掉，最终再对硅片表面的残留光刻胶用丙酮洗去；在硅片上形成需要的Si3N4掩膜层；（2）光刻后在硅片表面形成间距与半径比为2um：2um的圆形Si3N4掩膜；（3）在硅片表面制备好Si3N4掩膜后用丙酮和去离子水依次对光刻过后的硅片进行超声清洗，保证硅片表面的清洁度；（4）清洗后对硅片进行碱刻蚀，碱刻蚀后的片子在清洗后进行酸处理，刻蚀时间为8min；（5）刻蚀完成后利用I2，KI溶液，I225g，KI100 g，H2O 1L溶液洗去硅片表面残余的金颗粒，即制得黑硅。