[发明专利]一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件

摘要

本发明公开一种氧化物薄膜及其制备方法与QLED器件，所述氧化物薄膜由氧化物组成，所述氧化物的化学通式为ABx1C(1‑x1)O3，A为二价态的金属元素、B为三价态的金属元素、C为四价态的金属元素，其中，0.05x10.35；或者所述氧化物的化学通式为Ax2B(1‑x2)DO3，A为二价态的金属元素、B为三价态的金属元素、D为三价态的金属元素，其中，0.02x20.35。本发明掺杂的ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO3具有传输空穴的作用，将本发明上述薄膜作为空穴功能层应用于QLED器件中，可提高器件的空穴传输能力。

主权项

1.一种氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜由氧化物组成，所述氧化物的化学通式为AB_x1C_(1‑x1)O₃，A为二价态的金属元素、B为三价态的金属元素、C为四价态的金属元素，其中，0.05<x1<0.35；或者所述氧化物的化学通式为A_x2B_(1‑x2)DO₃，A为二价态的金属元素、B为三价态的金属元素、D为三价态的金属元素，其中，0.02<x2<0.35。