[发明专利]一种嵌入式闪存工艺集成方法有效
| 申请号： | 201711160947.9 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978606B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王贺莹;黄冠群;戴树刚;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式闪存工艺集成方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区，在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层，然后对所述衬底进行热处理，之后去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层，在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。本发明在刻蚀绝缘层后进行热处理，使绝缘层刻蚀时对第一栅氧化层造成的损伤得到一定的修复，避免后续去除第一栅氧化层时化学物质的侧钻，从而降低输入/输出器件的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 闪存 工艺 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式闪存工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一衬底，所述衬底包括相互隔离的核心器件区、输入/输出器件区以及闪存区；步骤S02：在所述衬底上依次形成第一栅氧化层与绝缘层；步骤S03：对所述绝缘层进行刻蚀，保留所述闪存区内的所述绝缘层；步骤S04：对所述衬底进行热处理；步骤S05：去除所述核心器件区内的所述第一栅氧化层；步骤S06：在所述核心器件区内的衬底上形成第二栅氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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