[发明专利]自偏压双向ESD保护电路在审
申请号: | 201711153592.0 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108091647A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | A·加莱拉诺;A·M·康坎农;K·P·M·拉贾戈帕 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚;赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 所公开的示例提供一种ESD保护电路(100),该ESD保护电路(100)包括:保护结构(101),该保护结构(101)响应于受保护节点电压(VPAD)和控制电压信号(VG)在ESD事件期间上升到触发电压(Vt1)以上,选择性地在受保护节点(124)处的第一端子(A1)和参考节点(126)处的第二端子(A2)之间传导电流;以及偏压电路(128),该偏压电路(128)被配置为以对应于第一端子(A1)的第一电压(VPAD)和第二端子(A2)的第二电压(VREF)中的较高电压的控制电压(VG)对保护结构控制端子(G)加偏压,以控制ESD保护结构(101)的触发电压(Vt1),从而在正常操作期间保持ESD保护结构断开。 | ||
搜索关键词: | 保护结构 受保护节点 触发电压 偏压电路 控制电压信号 参考节点 传导电流 较高电压 控制电压 控制端子 自偏压 断开 响应 配置 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电保护电路即ESD保护电路(100),包括:双向ESD保护结构(101),所述双向ESD保护结构(101)包括连接到受保护节点(124)的第一保护结构端子(A1)、连接到参考节点(126)的第二保护结构端子(A2),以及控制端子(G);以及偏压电路(128),所述偏压电路(128)以对应于所述第一保护结构端子(A1)的第一电压(VPAD)和所述第二保护结构端子(A2)的第二电压(VREF)中的较高电压的电压(VG)对所述控制端子(G)加偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的