[发明专利]自偏压双向ESD保护电路在审

专利信息
申请号: 201711153592.0 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108091647A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: A·加莱拉诺;A·M·康坎农;K·P·M·拉贾戈帕 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚;赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 所公开的示例提供一种ESD保护电路(100),该ESD保护电路(100)包括:保护结构(101),该保护结构(101)响应于受保护节点电压(VPAD)和控制电压信号(VG)在ESD事件期间上升到触发电压(Vt1)以上,选择性地在受保护节点(124)处的第一端子(A1)和参考节点(126)处的第二端子(A2)之间传导电流;以及偏压电路(128),该偏压电路(128)被配置为以对应于第一端子(A1)的第一电压(VPAD)和第二端子(A2)的第二电压(VREF)中的较高电压的控制电压(VG)对保护结构控制端子(G)加偏压,以控制ESD保护结构(101)的触发电压(Vt1),从而在正常操作期间保持ESD保护结构断开。
搜索关键词: 保护结构 受保护节点 触发电压 偏压电路 控制电压信号 参考节点 传导电流 较高电压 控制电压 控制端子 自偏压 断开 响应 配置
【主权项】:
1.一种静电放电保护电路即ESD保护电路(100),包括:双向ESD保护结构(101),所述双向ESD保护结构(101)包括连接到受保护节点(124)的第一保护结构端子(A1)、连接到参考节点(126)的第二保护结构端子(A2),以及控制端子(G);以及偏压电路(128),所述偏压电路(128)以对应于所述第一保护结构端子(A1)的第一电压(VPAD)和所述第二保护结构端子(A2)的第二电压(VREF)中的较高电压的电压(VG)对所述控制端子(G)加偏压。
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