[发明专利]一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711143898.8 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958946A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法，包括背面电极层；位于背面电极层一侧的衬底层；位于衬底层背离背面电极层一侧的发光外延层；位于发光外延层背离背面电极层一侧的电流扩展层；位于电流扩展层背离背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，金属薄膜粗化层与电流扩展层之间欧姆接触，且金属薄膜粗化层具有一镂空区域；位于电流扩展层背离背面电极层一侧、且设置于镂空区域的主电极。本发明提供的技术方案，在电流扩展层背离背面电极层一侧形成金属膜薄粗化层，进而提高发光二极管的电流扩展性能；并且，由于无需主电极与电流扩展层之间欧姆接触，避免了主电极对发光外延层的出光进行吸收，进而提高了发光二极管的出光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 扩展 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种改善电流扩展的发光二极管芯片，其特征在于，包括：背面电极层；位于所述背面电极层一侧的衬底层；位于所述衬底层背离所述背面电极层一侧的发光外延层；位于所述发光外延层背离所述背面电极层一侧的电流扩展层；位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，所述金属薄膜粗化层与所述电流扩展层之间欧姆接触，且所述金属薄膜粗化层具有一镂空区域；以及，位于所述电流扩展层背离所述背面电极层一侧、且设置于所述镂空区域的主电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711143898.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
