[发明专利]一种充气保护的晶体生长装置及方法有效
| 申请号： | 201711143036.5 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107794562B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞龙;朱康伟;刘毅;王晓芳;胡殷;张鹏程 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/48 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 沈强 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种充气保护的晶体生长装置及方法，属于晶体制备领域，目的在于解决现有改进的垂直布里奇曼法生长法制备碲化镉或碲锌镉等晶体时，其中的石英坩埚耐压能力不足，容易产生裂管现象，造成原料损失与设备损坏的问题。该装置包括加热炉、保压内胆、坩埚、固定件、法兰接口、充放气口、转接结构、平台、旋转单元、升降单元等。本发明中，通过坩埚外部充压保护，降低石英坩埚所承受压力，以避免高蒸汽压晶体生长过程中的裂管现象；同时，通过上温控加热单元、下温控加热单元结构的设计，满足多种晶体生长的需要，为多种晶体提供更为适宜的生长环境。本发明对于多种晶体的制备，尤其是高蒸汽压晶体的制备，具有较好的应用价值和显著的进步意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 充气 保护 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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