[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201711131502.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108091741B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个氮化镓层和n个氮化铝层，n≥2且n为整数；所述n个氮化铝层的平均生长温度高于所述(n+1)个氮化镓层的平均生长温度，所述n个氮化铝层的平均生长速率快于所述(n+1)个氮化镓层的平均生长速率，所述n个氮化铝层的总厚度小于所述(n+1)个氮化镓层的总厚度。本发明利用较高生长温度的氮化铝层晶体质量较高，大幅提高缓冲层整体的晶体质量，减少缺陷产生，提高发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝层 生长 氮化镓层 缓冲层 发光二极管外延 衬底 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 多量子阱层 发光二极管 抗静电能力 发光效率 交替生长 缺陷产生 高生长 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述缓冲层包括交替生长的(n+1)个氮化镓层和n个氮化铝层，n≥2且n为整数；所述n个氮化铝层的平均生长温度高于所述(n+1)个氮化镓层的平均生长温度，所述n个氮化铝层的平均生长速率快于所述(n+1)个氮化镓层的平均生长速率，所述n个氮化铝层的总厚度小于所述(n+1)个氮化镓层的总厚度；n≤9；所述n个氮化铝层的平均生长温度比所述(n+1)个氮化镓层的平均生长温度高20℃～100℃；所述n个氮化铝层的平均生长速率为所述(n+1)个氮化镓层的平均生长速率的5倍～10倍；所述n个氮化铝层的总厚度为所述(n+1)个氮化镓层的总厚度的1/5～1/2。
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