[发明专利]一种基于D/M/D电极的OLED器件的出光率的计算方法在审
| 申请号： | 201711129990.9 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107944109A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 唐义;塔格塔 | 申请（专利权）人： | 唐义 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人： | 刘芳,仇蕾安 |
| 地址： | 100081 北京市海淀区中关*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其具体过程为将OLED器件的发光层定义为第一层、空穴传输层定义为第二层，并依此类推，第M‑3层为内电介质层，M‑2层为金属层，第M‑1层为外电介质层，最后一层即第M层为空气层；计算OLED器件的每个相邻层界面的透过率Tm，m＝1,2,…,M，M为总的层数；将所述透过率Tm带入出射光的光通量式中，计算出射光的光通量ΦM；由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。此方法能够可以直接计算出基于D/M/D电极的OLED器件出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电极 oled 器件 出光率 计算方法 | ||
【主权项】：
一种基于D/M/D电极的OLED器件出光率的计算方法，其特征在于，其具体过程为：将OLED器件的发光层定义为第一层、空穴传输层定义为第二层，并依此类推，第M‑3层为内电介质层，M‑2层为金属层，第M‑1层为外电介质层，最后一层即第M层为空气层；计算OLED器件的每个相邻层界面的透过率Tm，m＝1，2，...，M，M为总的层数；将所述透过率Tm带入出射光的光通量式中，计算出射光的光通量ΦM；由入射光的光通量和出射光的光通量之比得出OLED器件出光率ηc。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唐义，未经唐义许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711129990.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于统计能量分析的船舶舱室噪声预报方法
- 下一篇：一种计算机辅助服装设计系统
