[发明专利]化学结晶法制备高纯硅碳棒的加工工艺在审
| 申请号： | 201711117323.9 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109776095A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 原东 | 申请（专利权）人： | 原东 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/638;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学结晶法制备高纯硅碳棒的加工工艺，将硅碳棒毛坯放在10‑35mm汞柱的真空容器内，之后以8℃/min的升温速度将温度升至350℃，并保持20min，然后以11℃/min的升温速度将温度升至920℃，并保持30min；将经过第一次加工的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在2000℃的高温下二次加工，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。将硅碳棒毛坯放在10‑35mm汞柱的真空容器内进行第一加工，不仅可以将粘结剂蒸发，也可以将粘结剂中的杂质去除；工艺参数合理，生产效率高，产品质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 硅碳棒 化学结晶 真空容器 高纯硅 粘结剂 毛坯 汞柱 碳棒 电热元件 二次加工 二氧化硅 混合粉末 生产效率 通电加热 杂质去除 碳化硅 埋入 坯料 加工 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种化学结晶法制备高纯硅碳棒的加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)将硅碳棒毛坯放在10‑35mm汞柱的真空容器内，之后以8℃/min的升温速度将温度升至350℃，并保持20min，然后以11℃/min的升温速度将温度升至920℃，并保持30min；(2)将步骤(1)中经过第一次加工的硅碳棒坯料埋入二氧化硅和碳的混合粉末中，通电加热在2000℃的高温下二次加工，碳化硅重新结晶，得到硅碳棒电热元件。
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