[发明专利]具有双组分基底的量子点复合材料及其制备方法

摘要

发明公开了一种具有双组分基底的量子点复合材料及其制备方法。该量子点复合材料包括透光性基材、微胶囊层和量子点层，所述微胶囊层位于所述透光性基材上，所述量子点层位于所述微胶囊层上，所述微胶囊层由微胶囊自组装而形成，所述量子点层由量子点自组装而形成，所述微胶囊包括壳层和内核，所述壳层含有聚苯乙烯和二氧化硅，所述内核为高级脂肪酸。本发明的量子点复合材料，本发明的量子点材料不但能够保持一般量子点发光效率高、光化学稳定性等优异性质，而且发光强度还具有特定的温度敏感值，可用于对特定的温度进行关联或监测。本发明的量子点复合材料还具有很好的重复使用性，量子点不会脱落问题。

主权项

一种具有双组分基底的量子点复合材料，其特征在于，其包括透光性基材、微胶囊层和量子点层，所述微胶囊层位于所述透光性基材上，所述量子点层位于所述微胶囊层上，所述微胶囊层由微胶囊自组装而形成，所述量子点层由量子点自组装而形成，所述微胶囊包括壳层和内核，所述壳层含有聚苯乙烯和二氧化硅，所述内核为高级脂肪酸，所述高级脂肪酸为C9～C18的高级脂肪酸；在所述量子点复合材料中，所述高级脂肪酸、聚苯乙烯和二氧化硅的重量比例为(2～6):(2～10):0.29；所述微胶囊层厚度为50nm～600nm，所述量子点层厚度为2～150nm；所述微胶囊的粒径为50nm～600nm；所述量子点为CdTe、CdSe、InP、InAs、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、CdTe/ZnS、CdHgTe/ZnS、HgTe/HgCdS量子点中的一种。