[发明专利]一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法

摘要

本发明提供了一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法，应用于微电子制造领域，其中，在机台端加设一阻挡刻蚀气体的供应管道，供应管道上装有质量流量控制器，通过质量流量控制器的控制向刻蚀腔体提供阻挡刻蚀气体，包括以下步骤：获取刻蚀腔体的射频时数与刻蚀速率的关系；获取射频时数与阻挡刻蚀气体的参数关系；获取当前的射频时数，依据当前的射频时数确定刻蚀速率作为目标值；于当前的射频时数下，通过调节刻蚀气体参数稳定刻蚀速率至目标值。有益效果：发明提出通过刻蚀腔体实时反馈的RF射频时数大小进行定量调节刻蚀气体参数，以达到刻蚀关键尺寸的稳定，改善一体化刻蚀晶圆的面内均匀性。

主权项

一种根据射频时数改善一体化刻蚀工艺面内均匀性的方法，应用于微电子制造领域，其特征在于，在机台端加设一阻挡刻蚀气体的供应管道，所述供应管道上装有质量流量控制器，通过质量流量控制器的控制向刻蚀腔体提供阻挡刻蚀气体，包括以下步骤：步骤S1，获取所述刻蚀腔体的射频时数与刻蚀速率的关系；步骤S2，获取所述射频时数与所述阻挡刻蚀气体的参数关系；步骤S3，获取当前的射频时数，依据所述当前的射频时数确定刻蚀速率作为目标值；步骤S4，于所述当前的射频时数下，通过调节所述刻蚀气体参数稳定所述刻蚀速率至所述目标值。