[发明专利]基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201711088549.0 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN107993848B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 廖广兰;刘星月;史铁林;刘智勇;韩京辉;涂玉雪;叶海波;汤自荣 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)对导电基底进行清洗处理;(2)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镍掺杂二氧化钛薄膜以形成光阳极,退火温度为450℃~500℃;(3)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液,并进行加热处理以得到光吸收层;(4)在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜以形成空穴传输层;(5)通过丝网印刷商用碳桨成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层,由此结束。本发明还还涉及基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池。本发明减小了生产成本,大大提高了电池的性能和稳定性,有利于电池的大规模商业化生产。 | ||
搜索关键词: | 基于 掺杂 氧化 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)提供导电基底,并在所述导电基底上刻蚀出凹槽;(2)对所述导电基底进行清洗后吹干,接着对所述导电基底进行紫外臭氧处理;(3)采用水浴法在所述导电基底上沉积金红石相的镍掺杂二氧化钛薄膜,并进行退火处理,以形成光阳极,其中,退火温度为450℃~500℃;(4)在所述光阳极的表面旋涂钙钛矿前驱体溶液,并进行加热处理以得到三元混合阳离子钙钛矿层,即光吸收层;所述三元混合阳离子钙钛矿层为Cs0.05(MA0.17FA0.83)0.95Pb(I0.83Br0.17)3;(5)真空条件下,在所述光吸收层的表面蒸镀一层酞菁铜,以形成空穴传输层;(6)通过丝网印刷商用碳浆成膜来在所述空穴传输层上形成碳对电极层,由此完成基于镍掺杂二氧化钛的钙钛矿太阳能电池的制备。
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