[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。

主权项

1.一种蚀刻方法，是在磁阻效应元件的制造中执行的被加工物的蚀刻方法，所述被加工物具有第1多层膜和与该第1多层膜层叠的第2多层膜，所述第1多层膜包括第1磁性层和第2磁性层以及设置在该第1磁性层与该第2磁性层之间的隧道势垒层，所述第2多层膜是在所述磁阻效应元件中构成钉扎层的多层膜，该方法包括如下工序：蚀刻所述第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻所述第2多层膜而在该腔室内生成第1气体的等离子体的工序，该第1气体包含烃气和稀有气体；以及为了除去在生成第1气体的等离子体的所述工序中形成于所述被加工物上的含碳堆积物而在所述腔室内生成第2气体的等离子体的工序，该第2气体包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体，且不含氢。