[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201711063342.8 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108987429A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 杨仁盛;朱文定;张至扬;杨晋杰;涂国基;石昇弘;廖钰文;陈侠威;陈奕静 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属‑绝缘体‑金属结构分离。 | ||
| 搜索关键词： | 金属间介电层 介电层 晶体管 绝缘体 半导体装置 记忆单元 顶表面 金属 金属介电层 储存单元 金属结构 延伸 | ||
【主权项】：
1.一半导体装置，其特征在于，包含：一金属间介电层；一储存单元，包含位于该金属间介电层的顶表面的一金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构；一晶体管，位于该金属间介电层下方；以及一介电层在该晶体管上延伸并沿着该金属间介电层的顶表面延伸，而该介电层自该金属‑绝缘体‑金属结构分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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