[发明专利]一种利用碳纳米场效应晶体管的三值内容寻址存储器有效
申请号: | 201711053697.9 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107967924B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 汪鹏君;康耀鹏;张会红;李刚 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04;G11C11/418 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用碳纳米场效应晶体管的三值内容寻址存储器,包括第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第九P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管、第九N型CNFET管、第十N型CNFET管、第十一N型CNFET管、第十二N型CNFET管、第十三N型CNFET管、第十四N型CNFET管、第十五N型CNFET管、第十六N型CNFET管、写字线、反相写字线、写位线、读位线、读字线、反相读字线、搜索线、反相搜索线和地址输出线;优点是功耗较低,且可以完整的实现三值数据存取。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 纳米 场效应 晶体管 内容 寻址 存储器 | ||
【主权项】:
一种利用碳纳米场效应晶体管的三值内容寻址存储器,其特征在于包括第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第九P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管、第九N型CNFET管、第十N型CNFET管、第十一N型CNFET管、第十二N型CNFET管、第十三N型CNFET管、第十四N型CNFET管、第十五N型CNFET管、第十六N型CNFET管、写字线、反相写字线、写位线、读位线、读字线、反相读字线、搜索线、反相搜索线和地址输出线;所述的第一P型CNFET管的源极、所述的第二P型CNFET管的源极、所述的第三P型CNFET管的源极、所述的第四P型CNFET管的源极和所述的第九P型CNFET管的源极均接入电源;所述的第一P型CNFET管的栅极、所述的第一N型CNFET管的栅极、所述的第九N型CNFET管的栅极、所述的第二P型CNFET管的栅极、所述的第二N型CNFET管的栅极、所述的第六P型CNFET管的漏极、所述的第六N型CNFET管的漏极、所述的第八P型CNFET管的源极和所述的第八N型CNFET管的源极连接,所述的第一P型CNFET管的漏极、所述的第一N型CNFET管的漏极、所述的第十一N型CNFET管的栅极、所述的第四P型CNFET管的栅极和所述的第三N型CNFET管的栅极连接,所述的第一N型CNFET管的源极接地,所述的第二P型CNFET管的漏极、所述的第二N型CNFET管的漏极、所述的第三P型CNFET管的栅极、所述的第五N型CNFET管的栅极和所述的第十三N型CNFET管的栅极连接,所述的第二N型CNFET管的源极接地,所述的第三P型CNFET管的漏极、所述的第五P型CNFET管的漏极、所述的第三N型CNFET管的漏极、所述的第四N型CNFET管的漏极、所述的第八P型CNFET管的漏极、所述的第八N型CNFET管的漏极、所述的第七N型CNFET管的源极、所述的第七P型CNFET管的源极、所述的第五P型CNFET管的栅极和所述的第四N型CNFET管的栅极连接,所述的第三N型CNFET管的源极接地,所述的第四P型CNFET管的漏极、所述的第五P型CNFET管的源极和所述的第十四N型CNFET管的栅极连接,所述的第四N型CNFET管的源极和所述的第五N型CNFET管的漏极连接,所述的第五N型CNFET管的源极接地,所述的第六P型CNFET管的源极、所述的第六N型CNFET管的源极和所述的写位线连接,所述的第六P型CNFET管的栅极、所述的第八N型CNFET管的栅极和所述的反相写字线连接,所述的第六N型CNFET管的栅极、所述的第八P型CNFET管的栅极和所述的写字线连接,所述的第七P型CNFET管的漏极、所述的第七N型CNFET管的漏极和所述的读位线连接,所述的第七P型CNFET管的栅极和所述的反相读字线连接,所述的第七N型CNFET管的栅极和所述的读字线连接,所述的第九P型CNFET管的栅极为所述的三值内容寻址存储器的预充电信号输入端,用于接入预充电信号,所述的第九P型CNFET管的漏极、所述的第九N型CNFET管的漏极、所述的第十一N型CNFET管的漏极、所述的第十三N型CNFET管的漏极和所述的地址输出线连接,所述的第九N型CNFET管的源极和所述的第十N型CNFET管的漏极连接,所述的第十N型CNFET管的源极接地,所述的第十N型CNFET管的栅极、所述的第十六N型CNFET管的栅极和所述的反相搜索线连接,所述的第十一N型CNFET管的源极和所述的第十二N型CNFET管的漏极连接,所述的第十二N型CNFET管的源极接地,所述的第十二N型CNFET管的栅极、所述的第十五N型CNFET管的栅极和所述的搜索线连接,所述的第十三N型CNFET管的源极和所述的第十四N型CNFET管的漏极连接,所述的第十四N型CNFET管的源极、所述的第十五N型CNFET管的漏极和所述的第十六N型CNFET管的漏极连接,所述的第十五N型CNFET管的源极和所述的第十六N型CNFET管的源极均接地。
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