[发明专利]一种阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制备方法，所述方法通过在栅极薄膜上同步形成栅极掩膜图形和信号线掩膜图形，且栅极掩膜图形划分为一个第一区域和至少一个第二区域，第二区域位于栅极掩膜图形的边缘，第二区域的厚度小于第一区域的厚度和信号线掩膜图形的厚度，这样，在去除栅极掩膜图形的第二区域，以在有源层图形的区域形成栅极图形和轻掺杂区的过程中，由于信号线掩膜图形的厚度大于第二区域的厚度，因此，信号线掩膜图形的宽度可以保持不变，相应的，可以提高由信号线掩膜图形形成的信号线图形的宽度，从而可以减小信号线的电阻，相应提高阵列基板的驱动效果，而且，还可以避免由于信号线断开导致的阵列基板不良，进而提高阵列基板的良率。

主权项

一种阵列基板的制备方法，包括：在形成有有源层图形的基底上形成栅极薄膜，其特征在于，所述方法还包括：在形成有所述栅极薄膜的基底上同步形成栅极掩膜图形和信号线掩膜图形，所述信号线掩膜图形位于所述阵列基板的周边区域，所述栅极掩膜图形位于所述阵列基板的显示区域，所述栅极掩膜图形与所述有源层图形相对应，且在从所述有源层图形上待形成源极图形位置到待形成漏极图形位置的方向上，划分为一个第一区域和至少一个第二区域，所述第二区域位于所述栅极掩膜图形的边缘，所述第二区域的厚度小于所述第一区域和所述信号线掩膜图形的厚度；利用所述栅极掩膜图形在所述有源层图形的区域形成重掺杂区，并利用所述信号线掩膜图形形成信号线图形；利用所述栅极掩膜图形在所述有源层图形的区域形成栅极图形和轻掺杂区。