[发明专利]表面等离子体性能可调的基底及制备方法在审
| 申请号： | 201711043664.6 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107703105A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;邵文;孙文峰;邓操;陶春先;张大伟 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 吴宝根,王晶 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种表面等离子体性能可调的基底及制备方法，该基底包括一个PDMS基片，PDMS基片上沉积贵金属膜层；该制备方法以AAO为模板，将表面结构转移至PDMS基片上，使PDMS基片带有纳米柱阵列结构表面；在制作的PDMS基片表面沉积贵金属膜层；对制作后的基底进行拉伸将制作后的贵金属PDMS基底平整的放置于一维平移拉伸夹中，基底一端固定，另一端夹在可移动平台上，基底可沿移动平台移动方向在PDMS弹性范围内进行拉伸；对拉伸后的基底进行检测拉伸后的基底表面等离子体吸收峰出现蓝移，吸收强度减弱。表明该基底实现了表面等离子体性能可调。本发明的基底制作工艺简单高效，基底灵敏性好、可控性高，工艺周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 性能 可调 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面等离子体性能可调的基底，包括一个PDMS基片，所述的PDMS基片上转移有AAO模板的纳米柱阵列结构，其特征在于：具有纳米柱阵列结构的PDMS基片上沉积有贵金属膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学，未经上海理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711043664.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
